EM782SP16A
写访问
512Kx16复STRAM
的写访问是通过将地址复用的地址/数据总线或超过A中的地址总线启动
15
(A
16
->一
xx
） 。当地址是稳定的，该设备的芯片选择（CS）被设置为有效低电平。在点A处，所述的AVD信号被取
低和闩锁变得透明。这使得地址传播到所述存储器阵列。的地址是
稳定在AVD信号的上升沿。所述的AVD信号变高时，其中的地址锁存结束点B 。
在这一点，写过程的第二阶段中被输入。数据被输入到多路地址/数据总线。在WE
信号被设置为低，并控制信号UB和LB是根据访问设置。
写周期时序波形（ 1 ） （ OE = V
IH
)
A
t
AVD
B
C
AVD
t
ACW1
t
AVDS
地址/数据
地址有效
t
AVDH
数据有效
t
ACW2
t
WRL
t
DW
t
DH
WE
t
CSS
t
ACW3
CS
t
BW
UB ， LB
写周期时序波形（ 2 ） （ OE = V
IH
)
A
B
t
AVD
C
AVD
t
AVDS
地址/数据
地址有效
t
AVDH
数据有效
t
ACW2
t
WRL
t
DW
t
DH
WE
t
CSS
CS
t
BW
UB ， LB
笔记
（写周期）
1.在重叠（ T A写操作
WRL
）低CS ， WE低，低UB或LB。写在开头中低CS ，最后过渡
低我们与主张UB或LB低的单字节操作或同时主张UB和LB低字操作。写
结束于中高CS和高WE最早的过渡。经t
WRL
从写入的开始写的末端测量。
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