位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第943页 > EM745FR32AU-45L > EM745FR32AU-45L PDF资料 > EM745FR32AU-45L PDF资料1第7页
融合存储&逻辑解决方案公司
时序波形写周期（ 1 ） （我们控制）
t
WC
地址
t
CW
(2)
CS
t
一种W
t
WP
(1)
WE
t
AS
(3)
DATA IN
高-Z
t
DW
EM641FV8FT系列
低功耗， 512Kx8 SRAM
t
WR
(4)
t
DH
高-Z
t
OW
数据有效
t
WHZ
数据输出
数据中，未定义
写周期时序波形（ 2 ） （ CS控制）
t
WC
地址
tAS(3)
CS
t
AW
t
WP
(1)
WE
t
DW
DATA IN
数据有效
t
CW
(2)
t
WR
(4)
t
DH
数据输出
笔记
（写周期）
高-Z
高-Z
1.在重叠（ T A写操作
WP
）低CS和低WE 。一开始写在CS中的最新转型变低，
WE为低电平。在最早转型写结束时， CS变为高电平， WE变高。经t
WP
从测得的
开始写入到写入的结束。
2. t
CW
是从CS测量要低写入的结束。
3. t
A S
从地址有效到写的开始测量的。
4. t
WR
从端或写入地址变化进行测定。吨
WR
在适用的情况下写一个结尾为CS或者我们要高。
7
