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融合存储&逻辑解决方案公司
特点
工艺技术：采用0.18μm CMOS全
组织： 64K ×16位
电源电压： 2.7V 3.6V
低数据保持电压： 1.5V （最小值）。
三态输出与TTL兼容
封装类型： 48 FPBGA 6.0x7.0
EM611FV16系列
低功耗， 64Kx16 SRAM
概述
该EM611FV16家庭由EMLSI的制作
先进的全CMOS工艺技术。家庭
支持工业级温度范围及芯片级
包装系统设计的用户灵活性。该fami-
在于还支持低数据保持电压的电池
备份操作具有低的数据保持电流。
产品系列
功耗
产品
家庭
EM611FV16
操作
温度
工业级（-40 85
o
C)
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
0.5A
2)
操作
(I
CC1
的.max ）。
3毫安
PKG型
2.7V~3.6V
55
1)
/70ns
48-FPBGA
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
2.典型值是在Vcc = 3.3V ，T测
A
=25
o
C和不是100 ％测试。
引脚说明
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
5
6
功能框图
预充电电路
LB
I / O
9
OE
UB
A
0
A
3
A
5
DNU
A
1
A
4
A
6
A
7
A
2
CS
I / O
2
I / O
4
I / O
5
I / O
6
WE
A
11
DNU
I / O
1
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
7
I / O
8
DNU
A A
11
10
A
12
A
13
A
14
A
15
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
数据
CONT
数据
CONT
V
C
C
行拣选的人
V
SS
存储阵列
1024 x 1024
I / O
1 0
I / O
11
V
SS
V
C C
I / O
12
I / O
13
DNU DNU
A
14
A
12
A
9
A
15
A
13
A
10
I / O1 I / O8
I / O9 I / O16
I / O电路
列选择
I / O
1 5
I / O
14
I / O
1 6
DNU
DNU
A
8
48 FPBGA ：俯视图（球下）
W
E
O
E
UB
控制逻辑
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
15
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名字
VCC
VSS
UB
LB
DNU
功能
电源
地
高字节（ I / O
9~16
)
低字节（ I / O
1~8
)
不要使用
LB
CS
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
2
