典型应用
短路检测
如果电流通过负载变>5.0 A中，
功率MOSFET的排出速度非常快（在不到10
s)
尝试以调节电流和34652是在
过电流模式3.0毫秒。然后将它的模式为
在概述
过流限制
段以上。
3500
3000
2500
能量（mJ ）
估计面积= 1.7毫米
2
400
F
200
F
100
F
功率MOSFET的能量容量
图24
示的投影能量能力
下的漏极至源设备的内部功率MOSFET
电压为82 V和90 ℃的环境温度下进行。这是
相比所需的电容的能量水平
100载
F, 200
F和400
F。对于80 V为
分别排放16毫秒， 32毫秒， 64毫秒的时间。
很显然，在功率MOSFET以及超过所要求的
能量的能力为所有三种情况下以足够的裕量。
例如，在400
F的电容负载，在64毫秒
放电时间需要约一个能量能力
1540毫焦，这是远低于功率MOSFET能力
约3500兆焦耳。作为该分析的结果是， 33652是
预计将有超过满足所有能量的能力
要求对可能的容性负载。
2000
1500
1000
500
0
0
20
时间（ms）
40
60
图24.预计对能源电力的能力
MOSFET相比于所需的能量水平
34652
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模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
