功能设备操作
操作模式
HVSE
打断
控制
模块
高电压关断
高端中断
V
DD
V
DD
PWMIN
PWMHSx
VS2
MOD1 ： 2
开/关
高边 - 驱动程序
电荷泵
负载开路检测
电流限制
overtemperture关机（可屏蔽中断）
高电压关断（屏蔽）
HSX
HSX
控制
HSxOP
HSxCL
状态
唤醒
模块
循环传感
图17.高侧驱动器HS1和HS2
负载开路检测
每一个高边驱动器信号的开路负载条件下，如果
电流通过高压侧低于开路负载电流
门槛。
开路负载状态被表示在比特HS1OP
和HS2OP偏多状态寄存器（ HSSR ） 。
电流限制
每一个高侧驱动器具有输出电流限制。在
与过温关断的高端组合
侧驱动器免受过电流和短
电路故障。
当驱动器工作在电流限制区域中，它是
同位HS1CL和HS2CL在HSSR表示。
注意：如果驱动程序在电流限制模式下操作，
权力过大可能会消退。
过温保护（ HS中断）
这两种高侧驱动器保护，避免过
温度。如果出现过热情况既
高侧驱动器被关闭并且该事件被锁存在
睡眠和停止模式
高侧驱动器可以启用休眠操作
和停止模式循环检测。另请参阅
表5
经营模式概述。
中断控制模块。关闭表示为HS
中断的中断源寄存器（ ISR ） 。
高边驱动器的热关断以表示
同时将所有HSxOP和HSxCL位。
如果该位HSM是在中断设置屏蔽寄存器（ IMR ） ，
然后中断（IRQ）被产生。
写于高端控制寄存器（ HSCR ） ，当
过温条件消失了，将重新启用
高侧驱动器。
高电压关断
在壳体的高电压条件，如果该高电压
关闭启用（位HVSE在模式控制寄存器
（ MCR ）设置）兼具高侧驱动器被关闭。
写于高端控制寄存器（ HSCR ） ，当
高电压条件消失了，将重新启用偏高
驱动程序。
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模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
