SBYV27-50 THRU SBYV27-200

威世通用半导体

100

60

正向电流（A ）

恢复存储更改/反转

恢复时间， NC / NS

I

F

= 2.0 A

V

R

= 30

V

50

的di / dt = 150 A / μs的

的di / dt = 100 A / μs的

40

的di / dt = 20A / μs的

的di / dt = 50A / μs的

的di / dt = 100 A / μs的

的di / dt = 150 A / μs的

的di / dt = 50A / μs的

的di / dt = 20A / μs的

10

t

rr

Q

rr

0

0

25

50

75

100

125

150

175

T

J

= 175 °C

10

T

J

= 150 °C

1

T

J

= 125 °C

0.1

T

J

= 25 °C

0.01

0.2

30

20

0.6

1.0

1.4

1.8

2.2

2.6

3.0

3.4

正向

电压

(V)

结温（ ° C）

图3.典型正向特性

图5.反向开关特点酒色

100

T

J

= 175 °C

100

T

J

= 165 °C

T

J

= 125 °C

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

瞬时反向漏

电流（ μA ）

10

1

结电容（pF ）

60

80

100

10

0.1

0.01

T

J

= 25 °C

0.001

0

20

40

1

0.1

1

10

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

反向

电压

(V)

图4.典型的反向漏电特性

图6.典型结电容

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

DO- 204AC （DO- 15）的

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

DIA 。

1.0 (25.4)

分钟。

0.300 (7.6)

0.230 (5.8)

0.140 (3.6)

0.104 (2.6)

DIA 。

1.0 (25.4)

分钟。

文档编号： 88736

修订： 20 - 8 - 07

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