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EDD1232ABBH
指令操作
命令真值表
DDR SDRAM识别由/ CS指定下面的命令， / RAS ， / CAS ， / WE和地址引脚。所有其他
组合比在表中是非法的。
CKE
命令
ignore命令
无操作
在读命令突发停止
列地址和读命令
阅读自动预充电
列地址和写命令
写带自动预充电
行地址选通和银行主动
预充电选择银行
预充电所有银行
刷新
符号
DESL
NOP
BST
读
READA
WRIT
WRITA
法案
PRE
PALL
REF
自
模式寄存器设置
太太
EMRS
n–1
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
n
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
/ CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
/ RAS / CAS / WE
×
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
×
H
H
L
L
L
L
H
H
H
L
L
L
L
×
H
L
H
H
L
L
H
L
L
H
H
L
L
BA1
×
×
×
V
V
V
V
V
V
×
×
×
L
L
BA0
×
×
×
V
V
V
V
V
V
×
×
×
L
H
AP
×
×
×
L
H
L
H
V
L
H
×
×
V
L
地址
×
×
×
V
V
V
V
V
×
×
×
×
V
V
注： H： VIH 。 L： VIL 。
×:
VIH或VIL V ：有效地址输入
注： CKE水平必须保持在1 CK周期最少。
ignore命令[ DESL ]
当/ CS为高电平在CK的上升沿和VREF级别的交叉点，每个输入被忽视和内部
状态保持。
无操作[ NOP ]
只要这个命令被输入在CK的上升沿和VREF电平，地址和数据的交叉点
输入被忽视和内部状态将被保持。
在读操作突发停止[ BST ]
此命令用于停止脉冲串读操作，这是不适用的猝发写操作。
列地址选通和读命令[读取]
此命令启动一个读操作。读出的脉冲串的起始地址由列地址确定
（请参见“地址引脚表”中的引脚功能）和银行选择地址。在完成读操作后，
输出缓冲器变成高阻抗。
阅读与自动预充电[ READA ]
此命令启动一个读操作。在读操作完成后，预充电是自动执行的。
列地址选通和写命令[ WRIT ]
此命令启动写操作。突发写入的起始地址由列地址确定
（请参见“地址引脚表”中的引脚功能）和银行选择地址。
带自动预充电[ WRITA ]写
此命令启动写操作。在写操作完成后，预充电是自动执行的。
数据表E0874E40 （版本4.0 ）
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