数据表 SC系列

典型的SPDT开关

BIAS

产量

C

2

C

3

BIAS

电气规格

产品型号

SC00080912

SC00120912

SC00180912

SC00260912

SC00380912

SC00560912

SC00680912

SC00820710

SC00821518

SC01000710

电容

（20％） pF的

0.8

1.2

1.8

2.6

3.8

5.6

6.8

8.2

8.2

10

10

10

15

22

33

47

68

100

333

500

1000

芯片尺寸

（1密耳）的

9万片/ 12万片

9万片/ 12万片

9万片/ 12万片

9万片/ 12万片

9万片/ 12万片

9万片/ 12万片

9万片/ 12万片

7万片/ 10万片

15密耳垫/ 18万片

7万片/ 10万片

9万片/ 12万片

15密耳垫/ 18万片

15密耳垫/ 18万片

15密耳垫/ 18万片

15密耳垫/ 18万片

15密耳垫/ 18万片

15密耳垫/ 18万片

24密耳垫/ 30万片

34密耳垫/ 40万片

44密耳垫/ 50万片

60密耳垫/ 68万片

输入1

C

1

D

1

D

2

C

4

输入2

C

2

, C

3

- 芯片MIS电容

C

1

, C

4

- 芯片或梁式引线MIS电容

D

1

, D

2

DSG9500梁式引线PIN二极管

SC01000912

SC01001518

SC01501518

SC02201518

SC03301518

SC04701518

SC06801518

SC10002430

SC33303440

SC50004450

SC99906068

例子

产品型号结构 - SCXXXXYYZZ

其中：

SC =硅电容

XXXX =电容（pF ）

YY =方形端子尺寸（密耳）

ZZ =方片尺寸（密耳）

10.0

1 pF的

插入损耗（dB ）

ZZ

± 0.001

1.0

8.2 pF的

100 pF的

47 pF的

100 pF的

1-47 pF的

0.10

YY

± 0.001

切屑厚度

0.005

± 0.001

0.01

2

6

10

14

18

频率（GHz ）

性能数据

在L和S波段节目的插入测试，典型的MIS电容

损失为1/2至三分之一即相当于陶瓷型电容器，

没有任何的相关联的共振问题。电源测试

表明，唯一的限制是实际的击穿电压

该装置的（参见数据部） 。典型插入损耗与

频率的关系曲线示于图1。这数据取自

实际测试电路具有串联地安装梁式引线或芯片

在50电容器

微带传输线。表观

在较低频率上的更低的电容单元的高损耗

是严格的，由于电容器的容抗。

图1.典型插入

损耗与频率（ 50

系统）

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2

2006年8月2日 Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 200136版本C