表27 。
低电压串行编程指令集
(1)
指令格式
指令
编程启用
芯片擦除
读程序存储器
1个字节
1010 1100
1010 1100
0010
H000
2字节
0101 0011
100x xxxx
XXXX XXXA
BYTE 3
xxxx xxxx
xxxx xxxx
bbbb bbbb
Byte4
xxxx xxxx
xxxx xxxx
oooo oooo
手术
启用串行编程时
RESET为低。
芯片擦除闪存和EEPROM
存储器阵列。
读
H
（高或低）数据
o
从
程序存储器的字地址
A：B 。
写
H
（高或低）数据
i
to
程序存储器的字地址
A：B 。
读数据
o
从EEPROM存储器
AT地址
b.
写数据
i
在到EEPROM存储器
地址
b.
写锁定位。设置位
1,2
=“0”到
程序锁定位。
读锁定位。 “ 0 ” =编程，
“ 1”=未编程。
阅读签名字节
o
AT地址
b.
设置位
8
-
3
=“0”编程， “1”到
unprogram 。
读熔丝位。 “ 0 ” =编程，
“ 1”=未编程。
写程序存储器
0100
H000
XXXX XXXA
bbbb bbbb
iiii iiii
阅读EEPROM
内存
写入EEPROM
内存
写锁定位
读锁定位
读标识字节
写熔丝位
读熔丝位
1010 0000
1100 0000
1010 1100
0101 1000
0011 0000
1010 1100
0101 0000
xxxx xxxx
xxxx xxxx
1111 1211
xxxx xxxx
xxxx xxxx
101x xxxx
xxxx xxxx
xxxx xxxx
xxbB
bbbb
xxbB
bbbb
xxxx xxxx
xxxx xxxx
0000 00bb
xxxx xxxx
xxxx xxxx
0000 0000
oooo oooo
iiii iiii
xxxx xxxx
xxxx x21x
oooo oooo
8765
1143
8765
xx43
oooo oooo
读取校准字节
0011 1000
注意：
1.
a
=地址高位
b
=地址低位
H
= 0 - 低字节， 1 - 高字节
o
=数据输出
i
=数据
X =无关
1
=锁定位1
2
=锁定位2
3
= CKSEL0熔丝
4
= CKSEL1保险丝
5
= RSTDISBL位
6
= SPIEN熔丝
7
= BODEN熔丝
8
= BODLEVEL保险丝
62
ATtiny15L
1187D–12/01
