高电压串行
编程算法
编程和验证ATtiny15L在高电压串行编程模式下，
遵循以下的步骤（见指令格式如表25 ） ：
1.上电顺序：
适用于4.5 - VCC和GND之间5.5V 。设置PB5和PB0为“0” ，等待
至少30微秒。
设置PB3为“0” 。等待至少为100 ns 。
适用于12V至PB5并等待至少100 ns的变化PB0之前。等待8微秒
前给予任何指示。
2.闪存阵列编程一个字节一个时间，把第一的地址，
然后，低和高数据字节。写指令是自定时;等到
PB2 （ RDY / BSY ）引脚变为高电平。
3. EEPROM编程一个字节的时间通过提供第一
地址，则数据字节。写指令是自定时;等到PB2
（ RDY / BSY ）引脚变为高电平。
4.任何一个存储单元可以通过使用读指令，来验证其
返回的内容为在串行输出PB2选定的地址。
5.关机顺序：
设置PB3为“0” 。
设置PB5为“0” 。
关闭的Vcc电源。
当写入或读出的串行数据到ATtiny15L ，数据同步于该8
th
升起
的需要，以产生内部时钟的16个外部时钟脉冲边沿。见图
31 ，图32和表26中的解释。
图31 。
高电压串行编程波形
串行数据输入
PB0
最高位
最低位
SERIAL INSTR 。 INPUT
PB1
最高位
最低位
串行数据输出
PB2
最高位
最低位
内部CK
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
串行时钟输入
PB3
16x
56
ATtiny15L
1187D–12/01
