位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第678页 > ATMEGA8535-16AC > ATMEGA8535-16AC PDF资料 > ATMEGA8535-16AC PDF资料3第18页
数据存储器访问时间
本节介绍的访问时序内部存储器的访问。
内部数据SRAM访问时间为两个CLK进行
中央处理器
次如Figure
10.
网络连接gure 10 。
片上数据SRAM访问周期
T1
T2
T3
CLK
中央处理器
地址
数据
WR
数据
RD
计算地址
地址有效
存储器访问指令
下一条指令
EEPROM数据存储器
该ATmega8535的包含512个字节的数据EEPROM存储器。它是作为一个
独立的数据空间，其中，可以按字节读写。 EEPROM中有
至少100,000次写/擦除周期的耐力。的EEPROM之间的访问
并且CPU在下文中进行描述的，指定的EEPROM地址寄存器，
EEPROM数据寄存器和EEPROM控制寄存器。
“存储器编程”页237包含EEPROM亲的详细说明
编程的SPI或并行编程模式。
EEPROM读/写访问
EEPROM的访问寄存器位于I / O空间。
EEPROM的写访问时间列于表1 ，一种自定时功能
以往，可以让用户软件监测何时开始的字节可写。如果用户代码
包含操作EEPROM ，有些必须采取预防措施。在
严格的滤波电源，V
CC
有可能上升或下降缓慢上电/下。这
会导致器件，用于在一段时间内，以更低的比规定为电压运行
最低的使用，请参阅“防止EEPROM腐败”页面上的时钟频率
22如何避免在这些情况下，问题的详细信息。
为了防止无意识的EEPROM写，具体写程序必须跟着
时序。指的是EEPROM控制寄存器有关细节的描述。
当EEPROM被读取时， CPU会先下一停止4个时钟周期
指令被执行。当EEPROM写入，CPU会停止工作2个
在下一个指令周期之前被执行。
18
ATmega8535(L)
2502K–AVR–10/06
读
写
