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ATmega64(L)
位2 - EEMWE ： EEPROM写使能
该EEMWE位决定设置EEWE一个是否会导致EEPROM是
写的。当EEMWE写一个，写EEWE一个在四个时钟周期内
将数据写入EEPROM的指定地址。如果EEMWE为零，写EEWE
一个将没有任何效果。当EEMWE置一个由软件，硬件
清除该位后4个时钟周期。看到EEWE位的描述
EEPROM写过程。
位1 - EEWE ： EEPROM写使能
EEPROM的写使能信号EEWE是写选通到EEPROM中。当
地址和数据的设置是否正确， EEWE位必须设置为写入值成
EEPROM中。当逻辑1写入EEWE的EEMWE位必须设置，
否则EEPROM写操作为止。下面的过程应该遵循
当写入EEPROM中（步骤3和4中的顺序不是必需的） ：
1.等待EEWE变为零。
2.等待SPMCSR寄存器的SPMEN为零。
3.将新的EEPROM地址写入EEAR （可选）。
4.将新的EEPROM数据写入EEDR （可选）。
5.写，而写一个零EECR到EEWE逻辑一到EEMWE位。
6.在四个时钟周期内设置EEMWE后，写了一个合乎逻辑的一个EEWE 。
该EEPROM不能在CPU写Flash存储器的过程中进行编程。该
软件必须检查Flash编程结束开始新的前
EEPROM写。如果该软件包含引导程序，允许第2步是唯一的相关
在CPU对Flash进行编程。如果Flash是永远不会被通过CPU进行更新，步骤2
可以省略。请参阅“支持引导装入程序 - 同时读 - 写自我编程能力”上
278页有关引导程序的详细信息。
注意事项：
步骤5和6之间的中断将导致写操作失败，因为
EEPROM写使能操作将超时。如果一个中断程序访问
EEPROM是打断了另一个EEPROM操作， EEAR或EEDR注册会
修改，引起EEPROM操作失败。建议有
全局中断标志在最后四步清零，以避免这些问题。
当写访问时间之后， EEWE位由硬件清零。该
用户可以凭借这一点，并等待一零写入下一个字节之前。当
EEWE置位时，CPU停止两个时钟周期之前的下一条指令是
执行。
位0 - EERE ：EEPROM读使能
EEPROM的读使能信号EERE是读选通到EEPROM中。当
正确的地址是建立在寄存器EEAR的EERE位必须写入逻辑
一个触发读取EEPROM 。 EEPROM读取只需要一条指令，并
所请求的数据立即可用。当读取EEPROM的CPU是
在执行下一条指令之前，停止4个时钟周期。
用户在读取操作之前，应该检测EEWE 。如果一个写操作
正在进行中，则无法读取EEPROM，也改变EEAR
注册。
标定的振荡器用于EEPROM定时。表2列出了典型
编程时间从CPU访问EEPROM 。
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2490L–AVR–10/06
