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ATmega329/3290/649/6490
图11 。
片上数据SRAM访问周期
T1
T2
T3
CLK
中央处理器
地址
数据
WR
数据
RD
计算地址
地址有效
存储器访问指令
下一条指令
EEPROM数据存储器
在ATmega329 / 3290 /六千四百九十分之六百四十九包含1 / 2K字节的EEPROM数据存储器。这是
作为一个独立的数据空间，其中，可以按字节读写。该
EEPROM至少100,000次写/擦除周期的耐力。访问
EEPROM与CPU之间在下面描述，并指定
EEPROM地址寄存器， EEPROM数据寄存器和EEPROM控制
注册。
对于SPI ， JTAG和并行数据下载到EEPROM中的详细描述，
分别见296页， 301页， 284页。
EEPROM读/写访问
EEPROM的访问寄存器位于I / O空间。
EEPROM的写访问时间列于表2所述的自定时功能
以往，可以让用户软件监测何时开始的字节可写。如果用户代码
包含操作EEPROM ，有些必须采取预防措施。在
严格的滤波电源，V
CC
有可能上升或下降缓慢上电/下。这
会导致器件在一段时间以低于指定为电压运行
最小为所用的时钟频率。请参见“防止EEPROM腐败”
23.如何避免在这些情况下，问题的详细信息。
为了防止无意识的EEPROM写，具体写程序必须跟着
时序。指的是EEPROM控制寄存器有关细节的描述。
当EEPROM被读取时， CPU会先下一停止4个时钟周期
指令被执行。当EEPROM写入，CPU会停止工作2个
在下一个指令周期之前被执行。
读
写
19
2552H–AVR–11/06
