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ATmega329/3290/649/6490
汇编代码例程
EEPROM_read ：
;等待上一次写操作结束
SBIC
EECR ， EEWE
RJMP
EEPROM_READ
;设置地址（ R18 ： R17 ）的地址寄存器
OUT
EEARH ， R18
OUT
EEARL ， R17
;开始设置EERE以阅读
SBI
EECR ， EERE
;读取数据寄存器数据
in
RET
r16,EEDR
C代码示例
无符号字符型
EEPROM_read （无符号
INT
uiAddress ）
{
/ *等待上一次写操作结束* /
而（ EECR & （ 1<<EEWE ） ）
;
/ *设置地址寄存器* /
EEAR = uiAddress ;
/*
启动EEPROM写读EERE * /
EECR | = （ 1<<EERE ） ;
/ *从数据寄存器返回数据* /
返回EEDR ;
}
EEPROM写在电源 -
下来睡眠模式
当进入掉电睡眠模式，同时EEPROM写操作是活动的，则
EEPROM写操作将继续，并写访问时间之前将完成
已经过去。但是，当写操作完成时，时钟继续运行 -
宁，并且作为结果，该设备不进入掉电完全。这是
因此，建议以验证EEPROM写操作之前完成
进入掉电。
在低V的时期
CC,
EEPROM中的数据可以被破坏，因为电源电压
年龄过低，CPU和正确操作的EEPROM中。这些问题都是
一样使用独立的EEPROM器件的系统，同样的设计方案应该
被应用。
一个EEPROM数据损坏有两种情况引起，当电压过高
低。首先，常规的写序列到EEPROM需要一个最小的电压，以
正确操作。其次， CPU本身可以当执行指令不正确，
电源电压过低。
EEPROM数据损坏的问题可以通过以下方法解决
建议：
在保持电源电压不足期间AVR RESET信号（低） 。
这可以通过使能芯片的掉电检测（ BOD）来完成。如果检测
防止EEPROM
腐败
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2552H–AVR–11/06
