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ATmega644
6.3.1
EEPROM读/写访问
EEPROM的访问寄存器位于I / O空间。
EEPROM的写访问时间见
表6-2 。
自定时功能，但是，
可以让用户软件监测何时开始下一个字节可以被写入。如果用户代码包含指令
系统蒸发散的写EEPROM ，有些必须采取预防措施。在严格的滤波电源
耗材，V
CC
有可能上升或下降缓慢上电/下。这使得该设备对于一些
的时间周期，以在电压低于规定的最小为所用的时钟频率运行。
见“ 6.3.5 ”第25页。
对于如何避免在这些情况下，问题的详细信息。
为了防止无意识的EEPROM写操作，具体写的程序必须遵循。
指的是EEPROM控制寄存器有关细节的描述。
当EEPROM被读取后， CPU停止工作4个周期前的下一条指令
执行。当EEPROM写入时，CPU先下一停止两个时钟周期
指令被执行。
6.3.2
EEARH和EEARL - EEPROM地址寄存器
位
0x22 (0x42)
0x21 (0x41)
15
–
EEAR7
7
读/写
R
读/写
初始值
0
X
14
–
EEAR6
6
R
读/写
0
X
13
–
EEAR5
5
R
读/写
0
X
12
–
EEAR4
4
R
读/写
0
X
11
EEAR11
EEAR3
3
读/写
读/写
X
X
10
EEAR10
EEAR2
2
读/写
读/写
X
X
9
EEAR9
EEAR1
1
读/写
读/写
X
X
8
EEAR8
EEAR0
0
读/写
读/写
X
X
EEARH
EEARL
位15:12 - Res：保留位
这些位是保留位在ATmega644 ，读为零。
位11 ： 0 - EEAR8 ： 0 ： EEPROM地址
EEPROM地址寄存器 - EEARH和EEARL指定了4K EEPROM地址
字节的EEPROM空间。 EEPROM的数据字节0到4096之间线性寻址。
EEAR的初始值是不确定的。一个适当的值必须EEPROM之前被写入可
被访问。
6.3.3
EEDR - EEPROM数据寄存器
位
0x20 (0x40)
读/写
初始值
7
最高位
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
6
5
4
3
2
1
0
最低位
读/写
0
EEDR
位7 ： 0 - EEDR7 ： 0 ： EEPROM数据
对于EEPROM写操作， EEDR寄存器包含将要写入的数据
EEPROM中的寄存器EEAR给出的地址。对EEPROM的读操作，则
EEDR包含从EEPROM在由EEAR给出的地址读出的数据。
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2593L–AVR–02/07
