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AT89C52
图9 。
编程闪存
+5V
网络连接gure 10 。
验证闪存
+5V
AT87F52
A0 - A7
地址。
OOOOH/1FFFH
A8 - A12
P2.6
请参阅Flash
程序设计
模式表
P2.7
P3.6
P3.7
XTAL2
EA
V
IH
/V
PP
ALE
PROG
请参阅Flash
程序设计
模式表
P1
P2.0 - P2.4
V
CC
P0
PGM
数据
A0 - A7
地址。
OOOOH/1FFFH
A8 - A12
P1
AT87F52
V
CC
P0
PGM数据
(使用10K
上拉)
P2.0 - P2.4
P2.6
P2.7
P3.6
P3.7
XTAL 2
ALE
V
IH
EA
3-24兆赫
3-24兆赫
XTAL1
GND
RST
PSEN
V
IH
XTAL1
GND
RST
PSEN
V
IH
闪存编程和验证特性
T
A
= 0℃至70℃ ,V
CC
= 5.0
±
10%
符号
V
PP(1)
I
PP(1)
1/t
CLCL
t
AVGL
t
GHAX
t
DVGL
t
GHDX
t
EHSH
t
SHGL
t
GHSL(1)
t
GLGH
t
AVQV
t
ELQV
t
EHQZ
t
GHBL
t
WC
注意:
参数
编程使能电压
编程使电流
振荡器频率
地址设置到PROG低
PROG后的地址保持
数据建立到PROG低
PROG后数据保持
P2.7 ( ENABLE) HIGH到V
PP
V
PP
设置到PROG低
V
PP
持有PROG后
PROG宽度
地址到数据有效
ENABLE低到数据有效
数据浮动启用后,
PROG高到低BUSY
字节写周期时间
1.只用于12伏编程模式。
0
3
48t
CLCL
48t
CLCL
48t
CLCL
48t
CLCL
48t
CLCL
10
10
1
110
48t
CLCL
48t
CLCL
48t
CLCL
1.0
2.0
s
ms
s
s
s
民
11.5
最大
12.5
1.0
24
单位
V
mA
兆赫
15