位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第239页 > AT49BV8011-12CC > AT49BV8011-12CC PDF资料 > AT49BV8011-12CC PDF资料2第12页
项目周期特点
符号
t
BP
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WPH
t
EC
t
美国证券交易委员会
参数
字节/字编程时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
写脉冲宽高
芯片擦除周期时间
扇区擦除周期时间
200
0
100
100
10
100
50
10
民
典型值
20
最大
50
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
秒
ms
项目周期波形
项目周期
OE
CE
t
WP
t
WPH
t
BP
WE
t
AS
t
AH
5555
t
DH
2AAA
5555
地址
5555
A0 -A18
t
DS
数据
AA
55
A0
输入
数据
AA
部门或芯片擦除周期波形
OE
(1)
(4)
CE
t
WP
t
WPH
(4)
WE
t
AS
t
AH
5555
t
DH
2AAA
5555
5555
2AAA
注2
A0-A18
t
DS
t
EC
55
WORD 1
80
WORD 2
AA
WORD 3
55
WORD 4
注3
WORD 5
数据
AA
WORD 0
注意事项：
1. OE要高只有当我们和CE都很低。
2.芯片擦除，地址应为5555扇区擦除，地址取决于部门是被删除。 （见
注3下命令的定义。 ）
3.对于芯片擦除，数据应该是10H ，和扇区擦除，数据应该是30H 。
4.吨
WPH
第5和第6的总线周期之间的时间应至少为150 ns 。
12
AT49BV/LV8011(T)
