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中文ê （E T）
第22页） 。表7 ，第18页
显示该布局
在SecSi部门。
开始
表7中。
RESET ＃ = V
ID
（注1 ）
执行擦除或
方案业务
RESET ＃ = V
IH
SecSi扇区地址
地址范围
描述
16字节的随机的ESN
用户自定义代码或
工厂擦除（全1 ）
字模式（ X16 ）字节模式（ X8 ）
00–07h
08–7Fh
000–00Fh
010–0FFh
临时机构
撤消已完成
（注2 ）
注意事项：
1.所有受保护的行业保护。 （如果WP ＃ / ACC = V
IL
,
最外层的部门仍然受保护）
2.所有先前保护部门的保护，一旦
再次。
该器件将继续从SecSi部门阅读
直到系统发出退出SecSi部门命令
序列，或者直到电源被从设备中删除。
上电时，或以下硬件复位时，器件
返回到发送命令到启动扇区。
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求
进行编程或擦除提供数据保护
防止意外的写入（参见
表12中，上
第26页
对于命令的定义） 。此外，跟着
降脂硬件数据保护措施防止
意外擦除或编程，这可能问题WHO
聪明是由寄生系统级信号过程中造成的
V
CC
上电和掉电转换，或从
系统噪声。
低V
CC
写禁止
当V
CC
小于V
LKO
时，设备不接受
任何写周期。这期间， V保护数据
CC
上电和断电。命令寄存器和
所有的内部编程/擦除电路都被禁止，而
设备重置。随后的写操作被忽略，直到V
CC
大于V
LKO
。该系统必须提供
正确的信号给控制引脚，以防止无意中
tional写道：当V
CC
大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒（典型值）上的OE ＃ ， CE＃或噪声脉冲
WE＃不启动写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE ＃任何一个抑制=
V
IL
，CE ＃ = V
IH
或WE ＃ = V
IH
。要启动一个写周期，
CE＃和WE＃必须是逻辑零而OE＃是一个
逻辑之一。
上电时禁止写入
如果WE＃ = CE ＃ = V
IL
和OE ＃ = V
IH
上电时，该
设备不接受的上升沿命令
的WE＃ 。内部状态机自动为
重置为读出在上电时阵列的数据。
图2中。
临时机构撤消操作
安全硅（ SecSi ）闪存部门
内存区域
在安全硅（ SecSi ）部门是闪存
区域，使永久部分标识
通过一个电子序列号（ESN ） 。该SecSi
扇区在该装置中的长度为256字节。该装置
含有SecSi扇区指示符位，其允许
系统，以确定是否SecSi扇区
是厂家锁定。该指标位被永久设置
在出厂时和不能被改变，这可以防止
工厂锁定部分被克隆。
AMD提供了这种设备只能用SecSi部门
出厂序列化并锁定。第一个16字节
在SecSi部门包含一个随机ESN 。利用该
其余SecSi部门的空间，客户必须
通过AMD的快递提供自己的代码AMD
闪存的服务。该工厂将编程和perma-
nently保护SecSi部门（除
编程和保护的剩余部分
因为所需的设备） 。
该系统可以通过写读SecSi部门
输入SecSi部门的命令序列（见
“进入
SecSi部门/退出SecSi部门的命令序列“
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Am29SL160C
2007年21635C5 1月23日，
