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数据表
设备总线操作
本节介绍的要求和使用
设备总线操作，这是通过启动
内部命令寄存器。命令寄存器IT-
自不占用任何可寻址存储器地址
化。该寄存器是由存储在锁存器的
命令，随着地址和数据的信息
化需要执行的命令。的内容
寄存器作为输入到内部状态马
折角。状态机输出规定的功能
该设备。相应的设备总线操作
表列出了输入和所需的控制水平，以及
输出结果。以下小节介绍
每个更详细，这些操作。
表1中。
手术
读
写
TTL待机
CMOS待机
输出禁用
硬件复位
临时机构集团撤消（见注）
Am29F080B设备总线操作
CE＃
L
L
H
V
CC
±
0.3 V
L
X
X
OE ＃
L
H
X
X
H
X
X
WE＃
X
L
X
X
H
X
X
RESET＃
H
H
H
V
CC
±
0.3 V
H
V
IL
V
ID
A0–A19
A
IN
A
IN
X
X
X
X
A
IN
DQ0
–
DQ7
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
高Z
高Z
X
图例：
L =逻辑低= V
IL
，H =逻辑高电平= V
IH
, D
OUT
=数据输出，D
IN
=数据输入，A
IN
=地址， X =无关。见直流字符
开创性意义为电压电平。
注意：
查看类别组保护和临时机构撤消了部分获取更多信息。
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据，系统必须
驱动CE ＃和OE ＃引脚V
IL
。 CE＃为电源
控制和选择器件。 OE＃为输出控制
与门阵列的数据输出管脚。 WE＃应该重新
主要在V
IH
.
内部状态机设置为读取阵列
在器件上电数据，或硬件复位后。
这确保了MEM-的无杂散变更
电源转换过程中出现ORY内容。没有
命令是必要的，该模式以获得阵列
数据。标准的微处理器读周期的AS-i
塞尔特有效地址的器件地址输入
生产上的设备数据输出有效数据。该
器保持启用状态进行读访问，直到
命令寄存器的内容被改变。
见“读阵列数据”的详细信息。参考
在AC读操作表计时规范
tions和为读操作时序图
时序波形。我
CC1
在直流特性
表表示有功电流规范
读阵列数据。
的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
擦除操作可以擦除一个扇区，多节
器，或整个设备。扇区地址表在 -
dicate每个扇区占用的地址空间。一
“扇区地址”由所要求的地址位
唯一地选择一个扇区。看到命令Defini-
在擦除扇区或整个的细节部分列出
芯片，或悬浮/恢复的擦除操作。
系统后写自选命令SE-
quence ，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从接口读取自动选择码
纳尔寄存器（它是分开的存储器阵列）
在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用于本
模式。指的是自选模式，并自动选择
命令序列部分以获取更多信息。
I
CC2
在DC特性表代表了AC-
略去电流规格为写入模式。在“AC
特性“部分包含时序规格
表和时序图，用于写操作。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过读取状态检查操作的状态
位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格适用。请参阅“写操作
21503G5 2006年11月1日
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（这在 -
cludes编程数据到设备和擦除
8
Am29F080B
