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中文ê （E T）
擦除和编程性能
参数
扇区擦除时间
芯片擦除时间
字编程时间
加速字编程时间
芯片编程时间（注3 ）
加速芯片编程时间
32 K字
8千字
典型值（注1 ）
0.4
0.4
54
11.5
4
48
16
210
120
144
48
最大值（注2）
5
5
单位
s
s
s
s
s
s
不包括系统级
开销（注5 ）
不包括系统级
开销（注5 ）
评论
排除00H编程
擦除前（注4）
注意事项：
1.典型的编程和擦除时间假定以下条件： 25
°
C， 1.8 V V
CC
， 100万次。另外，
编程标准结构假定为棋盘图案。
为90℃ ，V 2，在最坏情况条件
CC
= 1.65 V ，百万个周期。
3.典型的芯片编程时间比列出的最大芯片编程的时间要少得多。
4.在嵌入式擦除算法的预编程步骤，所有的话都删除之前设置为00h 。
5.系统级开销是执行的两个或四个总线周期序列的程序所需要的时间
命令。请参阅表
13
有关命令定义的详细信息。
6.该器件具有100万次的最小擦除和编程周期耐力。
FBGA球电容
参数
符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
参数说明
输入电容
输出电容
控制引脚电容
测试设置
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
典型值
4.2
5.4
3.9
最大
5.0
6.5
4.7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.采样，而不是100 ％测试。
2.测试条件牛逼
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫。
3.加固BGA球电容待定。
数据保留
参数
最小模式数据保存时间
测试条件
150°C
125°C
民
10
20
单位
岁月
岁月
2006年5月9日25903C2
Am29BDS640G
71
