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P4C164L
低功耗8K ×8
静态CMOS RAM
特点
V
CC
电流（商业/工业）
- 操作： 55毫安
- CMOS待机： 3 μA
访问时间
-80/100 （商业或工业）
单5伏± 10 ％电源
易内存扩展使用CE
1
，CE
2
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
自动断电
套餐
-28 - 300引脚和600万DIP
-28引脚330密耳SOP
描述
该P4C164L是一个64K的密度低功耗CMOS
静态RAM组织为8Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
可在80纳秒到100纳秒访问时间。 CMOS
被利用来降低功率消耗，以较低的水平。
该P4C164L设备提供异步操作
与之相配的访问和周期时间。
内存位置上的地址引脚指定的
0
to
A
12
。读是由设备选择完成（ CE
1
低CE
2
高点）和输出使能（ OE ），而写入恩
能（ WE）仍然很高。凭地址
在这些条件下，在被寻址的存储器中的数据
位置上呈现的数据输入/输出管脚。该
输入/输出引脚留在高Z状态时，无论
CE
1
or
OE
是高还是
WE
或CE
2
是低的。
为P4C164L封装选项包括28引脚和300
600万DIP和28引脚330密耳SOP封装。
功能框图
引脚配置
DIP （ P5 ， P6 ） ， SOP （ S5 ）
顶视图
文档＃
SRAM116
版本B
修订后的2007年6月
1
