恩智浦半导体
74LVC1G79
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
11.动态特性
表8 。
动态特性
电压参考GND（地= 0V）。测试电路见
图9 。
符号参数
t
pd
条件
[2]
40 °C
+85
°C
民
典型值
[1]
3.6
2.3
2.6
2.2
1.7
1.4
0.9
0.9
0.6
0.6
0.7
0.4
0.3
0.3
0.2
最大
9.9
7.0
6.0
5.0
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40 °C
+125
°C
单位
民
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
2.5
1.7
1.7
1.2
1.2
0
0
0.5
0.5
0.5
最大
12.5
9.0
8.0
6.5
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
传播延迟CP为Q ;看
图7
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
2.5
1.7
1.7
1.3
1.2
0
0
+0.5
+0.5
+0.5
t
su
建立时间
D钮CP ;看
图8
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
t
h
保持时间
D钮CP ;看
图8
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
t
W
脉冲宽度
CP高或低;
SEE
图8
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
3.0
2.5
2.5
2.5
2.0
160
160
160
160
200
[3]
1.1
0.7
0.6
0.6
0.5
250
300
350
450
500
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.0
2.5
2.5
2.5
2.0
160
160
160
160
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
pF
f
最大
最大
频率
CP ;看
图8
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
C
PD
功耗
电容
V
I
= GND到V
CC
;
V
CC
= 3.3 V
-
[1]
[2]
[3]
典型值是在T测
AMB
= 25
°C
和V
CC
= 1.8 V， 2.5 V ， 2.7 V ， 3.3 V和5.0 V 。
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
74LVC1G79_7
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牧师07 - 2007年8月29日
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