恩智浦半导体
74LVC1G79
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
14.缩写
表11 。
缩写
CMOS
DUT
ESD
HBM
MM
TTL
缩略语
描述
互补金属氧化物半导体
在测试设备
静电放电
人体模型
机器型号
晶体管 - 晶体管逻辑
15.修订历史记录
表12 。
修订历史
发布日期
20070829
数据表状态
产品数据表
变更通知
-
SUPERSEDES
74LVC1G79_6
文档ID
74LVC1G79_7
莫迪科幻阳离子：
In
第10章“静态特性” ，
改变的条件
输入漏电流和电源电流。
图13 “包外形SOT891 （ XSON6 ） ”
更新。
产品数据表
产品speci fi cation
产品speci fi cation
产品speci fi cation
产品speci fi cation
产品speci fi cation
-
-
-
-
-
-
74LVC1G79_5
74LVC1G79_4
74LVC1G79_3
74LVC1G79_2
74LVC1G79_1
-
74LVC1G79_6
74LVC1G79_5
74LVC1G79_4
74LVC1G79_3
74LVC1G79_2
74LVC1G79_1
20061009
20040910
20040317
20030516
20030130
20010404
74LVC1G79_7
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2007年8月29日
14 16
