恩智浦半导体
74ALVC373
八路D型透明锁存器;三态
表7中。
动态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V）。测试电路见
图12 。
符号
t
W
参数
脉冲宽度
条件
LE脉冲宽高;看
图9
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
t
su
建立时间
DN埃镑;看
图11
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
t
h
保持时间
DN埃镑;看
图11
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
C
PD
功耗
电容
每个锁存器; V
I
= GND到V
CC
; V
CC
= 3.3 V
输出高电平或者低电平状态
输出三态
[1]
[2]
典型值是在T测
AMB
= 25
°C
t
pd
是相同为T
PHL
和T
PLH
.
t
en
是相同为T
PZH
和T
PZL
.
t
DIS
是相同为T
PHZ
和T
PLZ
.
[3]
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率; F
o
=输出MHz的频率
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在电压=电源电压
N =输入数字开关
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）=输出的总和
[3]
40 °C
+85
°C
民
3.8
3.3
3.3
3.3
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.7
-
-
典型值
[1]
1.0
0.8
2.0
2.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.2
0.3
0.1
35
14
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
74ALVC373_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 二○○七年十月一十八日
8 17
