飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MHPA19010N
牧师6 ， 5/2006
PCS频段
射频线性LDMOS功放
专为AB类放大器的应用
50欧姆系统
S IN操作
在PCS频带。硅场效应管设计提供了卓越的线性度
和增益。此外，极好的群时延和相位线性characteris-
抽动是理想的数字调制系统，如TDMA和CDMA 。
典型的CDMA业绩：1960兆赫， 28伏
IS - 95 CDMA导频，同步，寻呼，交通守则8到13
邻道功率： - 51 dBc的@ 30 dBm时， 885 kHz的信道间隔
功率增益： 24.5分贝敏（ @ F = 1960兆赫）
0.2分贝典型的增益平坦度
特点
出色的相位线性度和群时延特性
理想的前馈基站应用
后缀表示铅 - 免费端接
MHPA19010N
1930- 1990年兆赫
10 W， 24.5分贝
射频大功率LDMOS放大器
CASE 301AP - 02 ，花柱3
表1.最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
直流电源电压
RF输入功率（单载波CW）
存储温度范围
工作温度范围
静态偏置电流
符号
V
DD
P
in
T
英镑
T
C
I
DQ
价值
30
+20
- 40 + 100
- 20 + 100
750
单位
VDC
DBM
°C
°C
mA
表2.电气特性
(V
DD
= 28伏，V
BIAS
8 V设置为600毫安， T供应电流
C
= 25°C, 50
Ω
系统）
特征
电源电流
功率增益
增益平坦度
功率输出@ 1分贝比较。
输入VSWR
噪声系数
（ F = 1960兆赫）
（ F = 1930年至1990年兆赫）
（ F = 1960兆赫）
（ F = 1930年至1990年兆赫）
（ F = 1960兆赫）
符号
I
DD
G
p
G
F
P1dB
VSWR
in
NF
ACPR
民
—
24.5
—
—
—
—
—
典型值
600
25
0.2
41.5
1.5:1
8
- 58
最大
—
—
0.5
—
2:1
10
- 51
dB
dBc的
单位
mA
dB
dB
DBM
邻道功率抑制@ 30 dBm的， 1.23 MHz的带宽，
885 kHz的信道间隔
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MHPA19010N
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RF设备数据
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