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PD - 90418C
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 1 ）
产品概述
产品型号
IRFN450
IRFN450
JANTX2N7228U
JANTXV2N7228U
REF ： MIL -PRF- 592分之19500
500V N沟道
HEXFET
MOSFET技术
R
DS （ ON）
0.415
I
D
12A
HEXFET
MOSFET技术的关键在于国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。该
高效的几何设计实现的状态非常低的重
sistance结合高跨导。
HEXFET
晶体管还具有所有的行之有效的研华的
MOSFET的每日新闻，诸如电压控制，速度非常快开关
荷兰国际集团，易于并联的电气和温度参数
稳定。它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，砍砸器，
音频放大器，高能量脉冲电路，而且几乎
在需要高可靠性的应用程序。该
HEXFET
晶体管的完全隔离封装消除了
需要用于设备之间的附加绝缘材料
和散热器。这提高了热效率和
降低了漏极电容。
SMD-1
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
电气隔离
表面贴装
动态的dv / dt额定值
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
12
8.0
48
150
1.2
±20
750
12
15
3.5
-55到150
300（ 5秒）
2.6 （典型值）
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
1
1/25/01
