MJ21195 - PNP
MJ21196 - NPN
典型特征
PNP MJ21195
3.0
饱和电压（伏）
饱和电压（伏）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
V
CE （ SAT ）
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
NPN MJ21196
图9.典型的饱和电压
图10.典型的饱和电压
PNP MJ21195
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
10
T
J
= 25°C
10
T
J
= 25°C
NPN MJ21196
1.0
V
CE
= 5 V （虚线）
V
CE
= 20 v（固体）
V
CE
= 5 V （虚线）
1.0
V
CE
= 20 v（固体）
0.1
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
0.1
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图11.典型的基射极电压
图12.典型的基射极电压
100
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10毫秒
10
1秒
250毫秒
50毫秒
1.0
0.1
有电源处理两个限制
一个晶体管的能力;平均结温
和二次击穿。安全工作区曲线
表明我
C
V
CE
该晶体管的限制必须是
观察到的可靠运行;即，晶体管
不能经受比大于耗散
曲线显示。
图13的数据是基于T
J（下PK）
= 200°C;
T
C
是可变的取决于条件。在高温情况下，
的温度下，热限制将减少
功率比可以处理到的值小于
通过限制二次击穿的罚款。
1000
1.0
10
100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图13.活动区的安全工作区
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