MJH11017 ， MJH11019 ， MJH11021 （ PNP ） MJH11018 ， MJH11020 ， MJH11022 （ NPN ）

V

CC

100 V

R

C

TUT

R

B

＆放大器;

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

，必须快速恢复的类型，例如：

1N5825上面使用我

B

≈

百毫安

MSD6100下使用我

B

≈

百毫安

V2

约

+12 V

0

V1

约

8.0 V

R

B

51

D

1

+4.0 V

对于T

d

和T

r

, D

1

断开

和V2 = 0

对于NPN测试电路，反向二极管和电压极性。

范围

25

ms

t

r

, t

f

≤

10纳秒

占空比= 1.0 ％

图2.开关时间测试电路

R（T ），有效瞬态热

电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

R

QJC

（吨）= R（T ）R

QJC

R

QJC

= 0.83 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

QJC

(t)

0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

吨，时间（ ms）的

10

20

30

50

P

（ PK）

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.01

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

100

200 300

500

1000

0.02 0.03

0.05

图3.热响应

正向偏压

IC ，集电极电流（ AMPS ）

T

C

= 25°C单脉冲

0.1毫秒

0.5毫秒

1.0毫秒

dc

WIRE BOND LIMIT

热限制

第二击穿极限

MJH11017 ， MJH11018

MJH11019 ， MJH11020

MJH11021 ， MJH11022

2.0 3.0 5.0 10

20 30 50

100 150 250

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

5.0毫秒

30

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图4中的数据是基于T

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

v

150_C 。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图3.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

图4.最大额定正向偏置

安全工作区（ FBSOA ）

http://onsemi.com

3