初步
控制接口和寄存器描述（续）
数据位
B15 （MSB） / DB13
B14 / DB12
B13 / DB11
B12 / DB10
B11 / DB9
B10 / DB8
B9 / DB7
B8 / DB6
B7 / DB5
B6 / DB4
B5 / DB3
B4 / DB2
B3 / DB1
B2 / DB0
B1 / ADB1
B0 （ LSB ） / ADB0
名字
TMODE
版权所有
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版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
DTM2
DTM1
DTM0
ATM2
ATM1
ATM0
ADR1
ADR0
MSB Addrees位
LSB Addrees位
ADR1 = 1
ADR0 = 0
模拟测试控制位
请参阅表12
数字测试控制位
请参阅表13
描述
调滤波器选择位
利用
ML2721
设置TMODE 0正常操作
将所有的位0 （零）
表9C 。注册2 - 滤波器调谐选择和测试模式寄存器
串行接口
数据和时钟信号都被忽略，当EN为高电平。
当EN为在DATA引脚为低电平，数据被移入一个
通过在CLK引脚的上升沿移位寄存器。该
当EN为高电平的信息被锁存。该系列
接口总线类似于锁相环通常发现
设备。它可以通过字节有效地编程
或16位的面向字的串行总线的硬件。数据
锁存器被实现在静态CMOS ，并使用最小
当电源总线处于非活动状态。图9和表10中
提供时序和寄存器编程插图。
符号
t
R
t
F
t
CK
t
W
t
D
t
SE
t
S
t
H
tF
tS
tH
tR
参数
时钟输入上升时间
时间（纳秒）
15
15
>50
最小脉冲宽度
2000
>15
>15
>15
数据到时钟保持时间
>15
表10. 3 - Wire总线时序特性
TSE
TCK
tD
CLK
最高位
数据
DB13
DB12
DB11
DB0
ADR1
最低位
ADR0
tW
寄存器数据（ 14位）
地址数据（2位）
EN
图9.串行总线时序的地址和数据编程
2000年1月，
初步数据表
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