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ML3406
应用信息（ 2 ）
运用
陶瓷的
电容器
输入
和
产量
值越高，成本低的陶瓷电容是现在
成为更小的封装尺寸提供。他们的高纹波
电流，高电压等级和低ESR使其成为理想
用于开关稳压器的应用程序。因为
ML3406的控制回路不依赖于所述输出
电容的ESR稳定运行，陶瓷电容器
可以自由使用，以达到非常低的输出纹波和
小电路尺寸。
但是，必须注意，当陶瓷电容
用于在输入端和输出端。当陶瓷
电容器用于在输入端和所述电源是由供给
通过长导线墙上适配器，在输出负载阶跃
可诱发振荡在输入端，V
IN
。在最好的情况，这个铃声
可以耦合到输出端和被误认为环
不稳定。在最坏情况下，当前的突然涌入通过
长线可能会导致电压尖峰VIN ，
大到足以破坏部分。
当选择输入和输出陶瓷电容器，
选择X5R或X7R电介质配方。这些
电介质具有最佳的温度和电压
所有的陶瓷的一个给定值的特性和
尺寸。
图6
1.
该
V
IN
静态电流是由于两个部件：
DC偏置电流作为在电气定
特性和内部主开关和
同步开关栅极充电电流。门
充电电流成果形式切换门
内部功率MOSFET开关电容。
每次门被打开表单前高后低到高
再次，电荷， dQ的报文时，从V移动
IN
to
地面上。所得dQ的/ dt是电流输出Ⅴ的
IN
那
通常比DC偏置电流。在
连续模式下，我
GATECHG
= F （Q
T
+Q
B
）其中Q
T
和Q
B
是内部的顶部和底部的栅极电荷
开关。这两个DC偏置电流和栅极电荷损耗
正比于输入电压，从而其效果将更为
明显在较高的电源电压。
2.
I
2
损失由的电阻计算
内部开关，R
SW
和外部电感
L
。在
连续模式下，平均的输出电流流过
通过电感L的主体之间的“斩”
开关和同步开关。因此，该系列
阻力寻找到SW引脚是两者的功能
顶部和底部的MOSFET
DS （ ON）
和占空比
（直流）如下：
效率方面的考虑
的开关稳压器的效率等于
输出功率与输入功率乘以100 ％分成。这是
分析单独损耗，以确定什么往往有用
是限制性的效率和它的变化会产生
最大的改进。效率可以表示为：
效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 + ...）
其中， L1，L2等是个别的损失为
输入功率的百分比。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
亏损，两个主要来源，通常占多数
VIN静态电流和1： ML3406电路损耗
2
R
损失。在V
IN
静态电流损耗占主导地位
效率损失在非常低的负载电流，其中为1
2
R
损失占主导地位，在培养基中的效率损失，高负荷
电流。在一个典型的效率图，在效率曲线
非常低的负载电流可以是因为实际的误导
功率丢失是无关紧要的，如图6 。
R
SW
= (R
DS （ ON） TOP
）（直流） + P（R
DS （ ON） BOT
）（1- DC）的
3.
第r
DS （ ON）
对于顶部和底部的MOSFET
可以从典型性能得到
特性曲线。因此，为了获得1
2
损失，
只需添加RSW至R
L
并且将结果乘以该
广场上的平均输出电流。
其他损失包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损耗和电感磁芯损耗一般占
小于2 ％的总的附加损耗。
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修订版E， 2005年9月
