FDB33N25 / FDI33N25 250V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 16.5 A
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
40
10
2
10
μ
s
100
μ
s
I
D
，漏电流[ A]
10
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10毫秒
100毫秒
DC
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
30
20
10
0
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
D =0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
10
-2
* N释：
o
1 . Z
θ
JC
（ T）= 0 0.5 3℃/女男斧头。
2 。 ü TY F A构造函数，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
， S Q uare W AVE P ulse uration [秒]
FDB33N25 / FDI33N25版本A
4
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