LM2747
应用信息
电源良好信号
（续）
在电源良好引脚的开漏输出需要一个
上拉电阻，以低电压源。上拉电阻
应选择以使电流进入电源
好销小于1 mA的电流。 100kΩ电阻是中建议
谁料对于大多数应用程序。
电源良好信号是或门控的标志，考虑到
兼顾输出过压和欠压条件
系统蒸发散。如果反馈端（FB ）的电压是18 ％以上，其
标称值（ 118 ％× V
FB
= 0.708V ）或下降28 ％，低于
值（ 72 ％× V
FB
= 0.42V ），电源良好标记变为低电平。
电源良好标志可用于信号的其它电路的
输出电压却倒下了调控，
的LM2747的开关持续的状态而不必考虑
电源良好信号。电源良好标记将恢复
逻辑高电平时，反馈引脚电压之间
72 ％和0.6V的118 ％ 。
UVLO
在2.79V导通阈值的V
CC
有一个内置的滞后
约300毫伏。如果V
CC
降到低于2.42V时，芯片defi-
奈特雷进入UVLO模式。 UVLO由关闭的
顶部和底部的MOSFET，和残留在该条件下
直到V
CC
高于2.79V 。与正常关机initi-
通过SD引脚ated ，软启动电容放电
通过内部MOSFET ，保证下次启动
将通过软起动电路进行控制。
电流限制
电流限制通过检测的电压来实现
低侧MOSFET ，而它是上。第r
DSON
MOSFET的
是已知的值;因此，电流流经MOSFET
可以被确定为：
V
DS
= I
OUT
个R
DSON
电流通过低侧MOSFET ，而它是在为
还电感器电流的下降部分。趋势/涌流
限阈值是由一个外部电阻R决定的
CS
,
连接在开关节点和I之间
SEN
引脚。一
恒定电流（I
SEN- TH
的） 40 μA典型的是通过强制
R
CS
，引起一个固定的电压降。此固定电压是
相比较V
DS
如果是后者较高，目前的
该芯片已达到限制。以获得更精确的
值的R
CS
你必须考虑的工作值
R
DSON
我
SEN- TH
在它们的工作温度下在
应用程序和参数略有差异的影响
从零件到部件。
CS
可以通过使用以下中找到
使用R方程
DSON
低边MOSFET的价值
它的预期热温度和绝对最小值
预计在整个温度范围内的值
I
SEN- TH
这是25 μA ：
R
CS
= R
DSON热
X我
LIM
/ I
SEN- TH
例如，一个保守的15A的电流在10A限
设计带有R
DSON热
10毫欧将需要6千欧
电阻器。对于R的最小值
CS
在任何应用中是1
千欧。因为电流检测横跨低侧进行
MOSFET ，导通时间没有最小高边是必要的。该
LM2747输入电流限制模式下，如果电感电流
超过在该点的电流限制阈值，其中
高边MOSFET关断和低侧MOSFET导通
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上。 （峰值电感电流的角度，看
图12）。
记
在正常运行模式下的高侧MOSFET AL-
方式打开在一个时钟周期的开始。在当前的
限制模式，相比之下，导通脉冲的高侧MOSFET是
跳过。这使电感电流下降。与正常
操作开关循环，然而，在一个电流限制模式
开关周期的高侧MOSFET将导通，一旦
由于电感电流已经下降到了限流阈值。
的LM2747将继续跳过高侧MOSFET的脉冲
直到电感电流峰值低于电流限制
阈值时，系统将恢复正常操作，在这一点
化。
20150988
图12.电流限制门限
不像高侧MOSFET的电流检测方案，该方案
限制电感电流，低侧电流感应的山峰
只允许在限制转换器中的电流
关断时间，当电感电流下降。因此，在一个典型
CAL电流限制的情节山谷通常定义良好的，但
该峰是可变的，根据占空比。该
PWM误差放大器和比较器控制的关断脉冲
高侧MOSFET ，即使在电流限制模式，
也就是说，峰值电感器电流可以超过当前
门限。假设输出电感器不
在目前的饱和，最大峰值电感电流
极限模式可以计算下面的等式：
其中T
SW
是开关频率f的逆
SW
。该
200 ns的项表示最小关断时间的占空比
循环，从而确保有足够的时间的正确操作
电流感测电路。
为了最小化的时间段，其中峰值电感
电流超过限流阈值，该IC还显示
通过固定的90 μA沉充电软启动电容。
的LM2747内部误差放大器的输出被限定
在软启动电容上的电压。因此，放电
软启动电容降低的最大占空比
控制器。在严峻的电流限制这种减少
占空比会降低输出电压，如果电流限制
情况持续较长一段时间。输出电感电流
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