MiniGate 逻辑
逻辑MiniGates
功能
2输入与非门
2输入或非门
输入逆变器
无缓冲输入逆变器
逆变器，漏极开路
非反相缓冲器，漏极开路
2输入与门
施密特反相器
非反相缓冲器
施密特缓冲
2输入或门
2-输入异或门
三态，非反相缓冲器，低电平有效
三态，非反相缓冲器，高电平有效
代号
00
02
04
U04
06
07
08
14
16
17
32
86
125
126
4
4
4
NL17SV**XV5T2
SOT- 553封装
4
4
4
NL17SZ**DFT2G
SOT- 353封装
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
NL17SZ**XV5T2
SOT- 553封装
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
MiniGate 工作电压VS牛逼
pd
与驱动电流
6.0
5.5
伏
5.0
4.0
3.6
3.0
HC
SZ
24毫安
2毫安
VHC
8毫安
SV
2.0
1.65
1.0
0.9
2.0
2.7
3.0
T
pd
（纳秒）
5.0
7.0
24毫安
还提供了在偶（ NL27WZxx系列）或三同大多数设备（ NL37WZxx系列）
MiniGate 封装尺寸比较 - 5信息
2.0
1.0
1.7
2.1
SC88A/SOT353
SOT553
1.7
0.55
3.0
1.0
2.75
TSOP5/SC-74A
SIM / SAM卡接口IC
NCN4555 / 7主要特点
单&双界面SIM卡（用户识别模块）
编曲上NCN ？ 557
1.8 V - 5.5 V数字输入电压
与ISO7816- ？ GSM11.11 / 11.1完全兼容？ /11.18 ，
IMT- ？ 000 / ？g TS ？ 1.101
支持1.8 V / ？ V卡
线性DC-DC转换器（ LDO）能够提供电流超过
在1.8 V & 50毫安？ V （VBAT从？ 0.7 V至5.5 V ）
非常低的待机和运行功耗
>5 MHz的时钟频率
>7千伏HBM ESD保护
SIM卡针
低调？毫米× ？毫米
QFN -16封装
SIM卡接口设备比较
产品特点
模拟接口
卡类型（ V）
最大时钟频率（MHz ）
电源（型号）
电源（ V）
激活/停用
包装
Tempetarure范围（ ℃）
无线协议
ESD保护（千伏）
NCN4555
1卡
1.8/
>5
内置LDO型DC- DC
.7 - 5.5
No
薄型QFN- 16
- 5 + 85
GSM 11.1倍/ ？g TS ？ 1.101
8
NCN4557
？牌
1.8/
>5
内置LDO型DC- DC
.7 - 5.5
是的
薄型QFN- 16
- 5 + 85
GSM 11.1倍/ ？g TS ？ 1.101
8
NCN4555
演示板
安森美半导体
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