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电气特性
静态电气特性
表3.静态电气特性（续）
特征条件5.5 V下注意
≤
V
SUP
≤
18 V ， - 40°C
≤
T
A
≤
125 ℃， GND = 0V ，除非另有说明。典型
注意值反映的近似参数是指在T
A
= 25℃下的额定条件，除非另有说明。
特征
输出功率（ VDD1 ）在停止模式
(16)
VDD1输出电压
I
DD1
< = 2.0毫安
VDD1输出电压
I
DD1
< = 10毫安
I
DD1
停止输出电流，以唤醒SBC
I
DD1
过电流唤醒限变时间
(17)
复位门限
复位门限
线路调整（C在V
DD1
= 47 μF钽电容器）
5.5 V < V
SUP
< 27 V，I
DD
= 2.0毫安
负载调整率（C在V
DD1
= 47 μF钽电容器）
1毫安<我
DD
＆ LT ; 10毫安
马克斯去耦电容，在VDD1引脚，在停止模式
(18)
跟踪稳压器（ V2 ）
(19)
V2输出电压（C为V2 = 10 μF钽电容器）
I2从2.0到200毫安， 5.5 V < V
SUP
< 27 V
I2输出电流（仅供参考）
这取决于外部镇流器晶体管
V2控制驱动电流能力
最坏的情况下在T
J
= 125°C
V2LOW标志阈值
逻辑输出引脚（ MISO ）
(20)
低电平输出电压
I
OUT
= 1.5毫安
高电平输出电压
I
OUT
= 250 A
三态MISO漏电流
0 V＆ LT ; V
MISO
＆ LT ; V
DD
I
HZ
-2.0
—
2.0
V
OH
V
DD1-0.9
—
V
DD1
A
V
OL
0.0
—
1.0
V
V
LD
S
—
15
—
75
200
F
符号
民
典型值
最大
单位
V
DDSTOP
4.75
5.00
5.25
V
V
DDSTOP2
4.75
5.00
17
55
4.6
4.2
5.25
25
75
4.7
4.3
V
I
DD1SWU
I
DD1DGLT
RST
STOP1
RST
STOP2
LR
S
10
40
4.5
4.1
mA
s
V
V
mV
—
5.0
25
mV
V
DDST帽
—
V2
0.99
1.0
1.01
V
DD1
I2
200
—
—
mA
12
CTRL
0.0
—
4.0
10
4.25
mA
V2L
TH
3.75
V
笔记
16.如果停止模式时，连接在VDD引脚上的电容不应超过由“V规定的最大
DDST帽
“参数。
如果电容值超标，一旦进入停止模式时， VDD输出电流可能会超过我
DDSWU
并防止设备留在
STOP模式。
通过设计保证;然而，它不是生产测试。
通过设计保证。
V2规格与外部电容
- 稳定性要求：C > 42 μF和ESR < 1.3
（钽电容） ，基极和发射极之间的外部电阻要求
- 测量条件：镇流器晶体管MJD32C ，C = 10 μF钽电容，镇流器基地晶体管和发射极之间2.2 k？电阻
推/拉式结构，三态条件CS高。
17.
18.
19.
20.
33989
8
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
