飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号：
MC33395
REV 4.0 ， 2/2007
三相栅极驱动器IC
在33395简化了大功率直流无刷电机控制设计
设计通过将栅极驱动器，电荷泵，电流检测，并
必要的保护电路，以驱动一个三相桥
的6个N沟道功率MOSFET构成。模式逻辑
掺入到路径的脉冲宽度调制（PWM）或一
互补PWM输出信号或低侧或高侧
桥的MOSFET。
检测和驱动电路也被引入到控制
电池反接保护高侧MOSFET开关。 PWM
频率高达28 kHz的是可能的。内置的保护电路
为防止MOSFET的桥梁的损坏情况以及驱动IC和
包括过压关断，过温关断，
过流关断和欠压关断。
该器件在环境温度规定参
-40℃的范围内
≤
T
A
≤
125 ° C和5.5 V
≤
V
IGN
≤
24 V电源。
特点
六个驱动N沟道低R
DS （ ON）
功率MOSFET
内置电荷泵电路
内置电流检测比较器和输出驱动电流
限制
内置PWM模式控制逻辑
内置电路保护
专为分数，以积分HP BLDC电机
32引脚SOIC宽体表面贴装封装
33395集成了一个<5.0
s
直通抑制计时器
33395T采用一个<1.0
s
直通抑制计时器
无铅封装了代码后缀EW指定
33395
33395T
三相
栅极驱动器IC
DWB后缀
EW后缀（无铅）
98ARH99137A
32引脚SOICW
订购信息
设备
MC33395DWB/R2
MC33395EW/R2
MCZ33395EW/R2
MC33395TDWB/R2
MC33395TEW/R2
- 40 ° C至125°C
32 SOICW
32 SOICW
（无铅）
温度
范围（T
A
)
包
32 SOICW
32 SOICW
（无铅）
V
PWR
33395
V
DD
VGDH
VIGN
VDD
CP1H
CP1L
CP2H
CP2L
CRES
3
2
3
VIGNP
GDH1
GDH2
GDH3
SRC1
SRC2
SRC3
N
S
N
H
S
H
H
MCU
HSE1–3
MODE0-1 GDL1
GDL2
PWM
GDL3
LSE1–3
-ISENS
AGND
保护地
+ ISENS
V
DD
图1. 33395简化应用图
*本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
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