L6910 - L6910A
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设备描述
该装置是实现BCD工艺的集成电路。该控制器提供完整的CON-
控制逻辑和保护了高性能的降压型DC -DC转换器。它被设计用来驱动N
沟道MOSFET的同步整流降压拓扑结构。转换器的输出电压可以是
精确地调节下，以900mV为± 1.5 ％的最大公差时，内部基准电压是
使用（简单地连接在一起EAREF和VREF引脚） 。该装置允许同时使用一个外部
基准（ 0.9V至3V）的规定。该装置提供的电压模式控制，具有快速瞬态
反应。它包括一个200kHz的自由运行的振荡器，可调范围为50kHz至1MHz的。在ER-
ROR放大器具有10MHz的增益带宽积和10V / μs压摆率，允许实现
高转换器带宽，实现快速的瞬态性能。 PWM占空比的范围可以从0％至
的100％。该装置可防止过电流条件下进入打嗝模式。该装置
监视当前通过使用R
DS （ ON）
上MOSFET （ s）表示，省去了一个电流的
租传感电阻。该设备是在SO16窄封装。
4.1振荡器
开关频率在内部被固定为200kHz的。内部振荡器产生的三角波
为PWM充电和恒定电流的内部电容器放电。传递到当前
振荡器通常是50μA （六
sw
= 200KHz的） ，并且可以使用一个外部电阻器来改变（注册商标
T
），连接在
OSC引脚与GND或V
CC
。由于OSC引脚被保持在固定的电压（典型值1.235V ） ，频率为VAR-
比例灭蝇灯的电流沉没（强制）从（到）的管脚。
特别是连接
T
与GND之间的频率增加（电流从销沉没） ，根据本
下列关系式：
6
4.94
10
f
OSC ， RT
=
200KHz
+ -------------------------
R
T
(
K
)
连接
T
到V
CC
= 12V或V
CC
= 5V时的频率被降低（电流被迫进入针），根据
下列关系式：
4.306
10
f
OSC ， RT
=
200KHz
– ----------------------------
-
R
T
(
K
)
15
10
f
OSC ， RT
=
200KHz
– ---------------------
R
T
(
K
)
6
7
V
CC
= 12V
V
CC
= 5V
开关频率的变化相对于RT重复图4 。
注意，迫使一个50μA电流流入该引脚，该装置停止开关，因为没有电流被输送到
振荡器。
图4中。
10000
1000
电阻[千欧]
100
10
RT与GND
RT至VCC = 12V
RT至VCC = 5V
10
100
1000
频率[千赫]
5/29
