L6728A
驱动部分
5
驱动部分
集成的高电流驱动器允许使用不同类型的功率MOSFET （也
多个MOSFET ，以降低当量
DS （ ON）
） ，保持快速切换过渡。
该驱动高侧MOSFET采用BOOT引脚的电源和相位引脚的回报。
该驱动低端MOSFET使用
V
CC
引脚电源和地引脚的回报。
该控制器体现了一种抗直通和自适应死区时间控制，以最大限度地减少
低压侧体二极管的导通时间，保持良好的效率，同时节省使用
肖特基二极管：
检查高边MOSFET关断， PHASE引脚检测。当在相位引脚上的电压
滴了下来，低侧MOSFET栅极驱动器突然加;
检查低侧MOSFET关断， LGATE销被感测。当在LGATE的电压具有
堕落，高边MOSFET栅极驱动器突加。
如果流过电感器的电流为负，电压相销上永远也不会下降。对
使低端MOSFET到导通，即使在这种情况下，一个看门狗控制器是否已启用：如果
高边MOSFET的源极不降，低边MOSFET导通使
使电感器的负电流再循环。这种机制允许
系统来调节，即使电流是负的。
电源转换输入方式灵活： 5 V ， 12 V总线或总线，允许转换（见
最大占空比限制），可自由选择。
5.1
功耗
L6728A嵌入高电流MOSFET驱动器为高侧和低侧MOSFET的：它
然后，重要的是要考虑该设备将推动他们耗散的功率
为了避免克服的最大结控制温度。
两个主要方面做出贡献的器件功耗：偏置电源和驱动程序的权力。
●
装置偏压功率（P
DC
）取决于通过静态消耗装置的
电源引脚，它仅仅是量化如下（假设提供HS和LS
用相同的驱动
V
CC
：设备）的
P
DC
=
V
CC
(
I
CC
+
I
BOOT
)
●
驱动功率是所需要的驱动功率以连续地接通和断开的
外部MOSFET ;它是开关频率和总的栅极电荷的函数
所选的MOSFET 。它可以定量考虑到总功率P
SW
消散切换的MOSFET （易可计算）是由三个主要的耗散
因素：外部栅极电阻（如果存在的话） ，内部MOSFET的电阻和
内在的驱动性。这最后一项是最重要的一个决定，以
计算设备的功耗。耗散的总功率来切换
MOSFET的结果：
P
SW
=
F
SW
(
Q
GHS
V
BOOT
+
Q
GLS
V
CC
)
外部栅极电阻有助于设备来驱散开关电源，因为同样的
功率P
SW
将内部的驱动器阻抗和外部电阻器之间共享
从而在装置的总体冷却。
10/32
