L6726A
驱动部分
5.1
功耗
L6726A嵌入高电流MOSFET驱动器为高侧和低侧MOSFET的：它
然后，重要的是要考虑该设备将推动他们耗散的功率
为了避免克服的最大结控制温度。
两个主要方面做出贡献的器件功耗：偏置电源和驱动电源。
●
装置偏压功率（P
DC
）取决于通过静态消耗装置的
电源引脚，它仅仅是量化如下（假设提供HS和LS
与该设备的相同的VCC驱动程序） ：
P
DC
=
V
CC
(
I
CC
+
I
BOOT
)
●
驱动功率是所需要的驱动功率以连续地接通和断开的
外部MOSFET ;它是开关频率的函数，该电压源的
驱动程序和所选择的MOSFET的栅极总电荷。它可以定量考虑
的总功率P
SW
消散切换的MOSFET （易可计算）是
消散由三个主要因素：外部栅极电阻（如果存在的话） ，内在
MOSFET性和内在驱动性。这最后一项是重要的
被确定为计算设备的功耗。总功率耗散
切换MOSFET的结果：
P
SW
=
F
SW
[
Q
GHS
(
V
BOOT
–
V
相
)
+
Q
GLS
V
CC
]
其中，V
BOOT
- V
相
是自举电容上的电压。
外部栅极电阻有助于设备来驱散开关电源，因为同样的
功率P
SW
将内部的驱动器阻抗和外部电阻器之间共享
从而在装置的总体冷却。
图4中。
软启动（左）和禁用（右）
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