L6712A L6712
3.3驱动程序部分
集成的高电流驱动器允许使用不同类型的功率MOS （又多个MOS降低
第r
DSON
） ，保持快速切换过渡。
该驱动高侧MOSFET配合使用BootX将引脚供给和PHASEx引脚的回报。司机
对于低侧MOSFET使用VCCDR引脚供电和保护地线引脚回报。 4.6V的最小电压
在VCCDR销才能启动该设备的操作。
该控制器体现了先进的防直通系统，以最大限度地减少低压侧体二极管CON-
duction时间保持良好的效率保存的使用肖特基二极管的并联对LS氧化物半导体场效应晶体管。
死区时间被降低到几纳秒保证了高侧和低侧的MOSFET是从来
同时接通：当高边MOSFET关断时，其源上的电压开始下降;
当电压达到2V时，低侧MOSFET的栅极驱动器被施加有30ns的延迟。当低
侧MOSFET关断，在LGATEx引脚上的电压进行检测。当它低于1V ，高边MOSFET
栅极驱动器被施加为30ns的延迟。如果流过电感器的电流是负的，源
高侧MOSFET永远也不会下降。以允许在低侧场效应晶体管的转动，即使在这种情况下，一个watch-
狗控制器是否已启用：如果高侧MOSFET的源极不降超过240ns ，偏低
MOSFET的接通，以便使该电感器的负电流再循环。这种机制AL-
低点的系统来调节，即使电流是负的。
该BootX的和VCCDR销钉从IC的电源（ VCC引脚）以及信号地分离
（ SGND引脚）和为了最大限度的开关噪声免疫力功率地（ PGND引脚） 。该另行
额定电源的不同的驱动程序使在场效应晶体管的选择高灵活性，允许使用逻辑电平的
MOSFET。供给的几个组合可被选择以优化应用程序的性能和效率
阳离子。电源转换也很灵活; 5V或12V总线可以自由选择。
峰值电流示出了用于上部和两相的，如图7， 10nF的下级驱动程序
容性负载已被使用。对于上驱动程序，源电流为1.9A ，而吸收电流为
1.5A采用V
BOOT
-V
相
= 12V ;类似地，对于较低的驱动，源极电流为2.4A ，而信宿
电流为2A与VCCDR = 12V 。
图7.驱动峰值电流：高压侧（左）和低端（右）
CH3 = HGATE1 ; CH4 = HGATE2
CH3 = LGATE1 ; CH4 = LGATE2
3.4当前的读数和过电流
电流流动槽的各相在使用横跨低侧MOSFET的r中的电压降读
DSON
或跨感测电阻器（R
SENSE
）串联到LS的MOSFET和内部转换成电流。该
由外部电阻器RG放置ISENx之间的芯片的外部发出的跨导率
PGNDSx引脚对读数点。差动电流读数滤除噪声，并允许放置
检测在不同位置的元素，而不会影响测量的准确性。当前读
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