L6390
自举驱动器
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自举驱动器
一个自举电路来供给高电压部。这个功能通常是
通过高电压的快速恢复二极管来实现（图
7.a).
在L6390一个专利
一体式结构取代了外部二极管。它是由一个高电压DMOS实现
同步驱动所述低压侧驱动（ LVG ），并在串联二极管，如图
科幻gure
7.b.
内部电荷泵（图
7.b)
提供了DMOS的驱动电压。
9.1
C
BOOT
选择和充电
要选择恰当的C
BOOT
看重外部的MOS可以被看作是一个等效
电容。该电容C
EXT
涉及到MOS栅极总电荷：
式（1）
C
EXT
Q
门
= -------------
-
V
门
电容器C之间的比
EXT
和C
BOOT
成正比的周期性电压损失。
它必须是：
式（2）
C
BOOT
>>>
EXT
例如：如果Q
门
30 NC和V
门
为10 V ，C
EXT
3 nF的。用C
BOOT
= 100 nF的下降会
300毫伏。
如果HVG有很长一段时间来提供的，则C
BOOT
选择要考虑到还
泄漏和静态损耗。
例如： HVG稳态功耗低于200
A,
因此，如果HVG牛逼
ON
为5ms ，C
BOOT
有
供应1
C
到C
EXT
。这项收费对1
F
电容器装置， 1V的电压降。
内部自举驱动器提供了一个很大的优势：在外部快速恢复二极管可以
避免（它通常有很大的泄漏电流）。
这种结构可以仅在工作V
OUT
靠近接地（或更低） ，并在此期间的
LVG是。充电时间（T
收费
）中的C
BOOT
是在其中两个条件都为时间
达成，它必须足够长，以给电容器充电。
自举驱动介绍由于DMOS R A的电压降
DSON
（典型值：
120
).
在低频这种下降可以忽略不计。反正增加了它的频率
必须考虑到帐户。
下面的等式是有用的计算上的自举的DMOS下降：
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