L6382D
表1.引脚说明
名字
引脚n °
描述
PIN设置
9
LSG
低端驱动器输出。这个引脚必须连接到半桥的栅极
桥的低侧功率MOSFET 。连接这个引脚和之间的电阻
功率MOS栅可用于降低峰值电流。
内部20KΩ电阻对地避免了虚假和不想要的
MOSFET导通。
图腾柱输出级能够驱动功率的峰值电流
120毫安源和120毫安片。
电源电压的集成电路的信号部分和用于驱动程序。
高侧栅极驱动浮动电源电压。自举电容
连接该引脚和13引脚（ OUT）之间通过内部反馈
同步自举二极管驱动阶段与低侧栅极驱动器。这
专利结构通常替代了外部二极管。
高边驱动器输出。这个引脚必须连接到一半的栅
桥高侧功率MOSFET 。连接该引脚之间的电阻
功率MOS栅可用于降低峰值电流。
内部20KΩ电阻对输出引脚避免虚假和不想要的
MOSFET导通
图腾柱输出级能够驱动功率MOS具有峰值
目前120毫安源和120毫安水槽。
高侧栅极驱动浮地。目前的回报为高侧栅极驱动器
电流。精心布局这个引脚的连接，以避免过大的尖峰
在地面以下。
没有连接
高电压启动。流入该引脚的电流为电容器充电，
连接引脚Vcc和GND之间，以启动所述集成电路。同时该芯片是在
节省模式中，发生器被循环通断导通和间
保存
模式
电压。当芯片工作在
操作
模式发生器被关闭
并重新启用当VCC电压低于欠压锁定阈值。
根据所需要的V
REF
引脚电流，该引脚可以连接到
整流电源电压直接地或者通过一个电阻器。
高电压隔离物。该引脚没有内部连接到隔离高
电压引脚，并遵守有关的安全法规（爬电距离）
PCB 。
输出喜块;此驱动程序可以被用来激励MOS采用
孤立的细丝预热。内部20KΩ电阻对地避免
虚假和不想要的MOSFET导通。
电流检测比较器，与TTL逻辑兼容信号输出;中
操作
模式下，该引脚被拉低，而每当OC比较器
触发（ CSI>典型值0.5V ）引脚保持高电平。
输入电流检测比较器，它被使能仅在
操作模式;
当该脚电压超过内部阈值时， CSO引脚被强制
高和半桥式驱动器将被禁用。退出从这种情况通过
无论是骑自行车在VCC低于UVLO或与LGI = HGI =低的同时。
基准电压源。中
普通模式
内部生成提供了一个
精确的电压基准，可用于提供高达30mA （在
工作模式）到外部电路。一个小的薄膜电容器（ 0.22μF分钟） ，
连接在此引脚与GND之间，建议以确保稳定
发电机，并防止噪声影响的参考。
10
VCC
11
BOOT
12
HSG
13
14
OUT
北卡罗来纳州
15
HVSU
16
北卡罗来纳州
17
HEG
18
CSO
19
CSI
20
VREF
5/22
