L6382D
块描述
7.3
DRIVERS
●
LSD （低
侧驱动器） ：
它由从3.3V逻辑信号（LSI）到Vcc电平移位器的
MOS驱动电平;设想用于半桥低侧功率MOS管，它能够
源和汇120毫安（分钟） 。
HSD （级别
转换器和高侧驱动器） ：
它由从3.3V逻辑电平移位器的
信号（ HGI ）的高侧栅极驱动器的输入高达600V 。设想用于半桥
高侧功率MOS的HSG能源和汇120毫安。
PFD （电源
因素驱动程序） ：
它由从3.3V逻辑信号（PFI）的电平移位器，以
Vcc的MOS驱动电平：司机能源120毫安从VCC PFG （导通）
和下沉250毫安到GND （关断） ;它适用于驱动PFC的MOS预
调节阶段。
HED （热
驱动程序） ：
它由从3.3V逻辑信号（平）电平移位器的至Vcc的MOS
驾驶水平;该驱动程序能够源30毫安从VCC HEG和下沉75毫安到
GND和它适合于灯丝加热时通过独立供给他们
绕组。
自举电路：
它产生的电源电压高侧驱动（ HSD ） 。
获得专利的集成的自举部分取代了外部自举二极管。这
部分有一个自举电容器一起提供自举电压来驱动
高侧功率MOSFET 。这个功能是使用高电压DMOS驱动实现
这是同步驱动低侧外部功率MOSFET。对于安全
操作， BOOT引脚与VCC之间的电流总是抑制，即使
零电压开关操作可能无法得到保证。
●
●
●
●
7.4
内部逻辑，过电流保护（ OCP）和互锁
功能
昏暗的（数字
输入监视器）
块管理传递到驱动输入信号
确保他们所描述的启动过程中的低;在DIM模块控制
期间都L6382D行为
保存
和
操作
模式。
当引脚CSI电压克服了0.5V的内部基准（典型值）的块
锁存的故障状态：在该状态下在OCP块力低既HSG和LSG信号
而民间组织将被迫高。这种情况持续锁定，直到LSI和HSI是
同时低和CSI低于0.5V 。
这个功能是合适的过电流保护，或硬开关的检测来实现的
通过使用一个外部检测电阻器。
作为销的CSI的电压可以变为负时，电流必须2mA以下通过有限
的外部元件。
在DIM块的另一特征是
内部互锁
可避免交叉传导中
半桥FET的：如果碰巧两个HGI和LGI输入的是在同一所带来的高
时间，然后LSG和HSG被迫低，只要这个关键条件依然存在。
17/22
