
MGP15N35CL , MGB15N35CL
典型电气特性
(除非另有说明)
60
I
C,
集电极电流(安培)
I
C,
集电极电流(安培)
V
GE
= 10.0 V
50
40
30
20
V
GE
= 3.0 V
10
0
V
GE
= 2.5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
T
J
= 25°C
V
GE
= 5.0 V
V
GE
= 4.0 V
V
GE
= 4.5 V
60
V
GE
= 10.0 V
50
40
30
20
10
0
T
J
= 150°C
V
GE
= 5.0 V
V
GE
= 4.0 V
V
GE
= 3.5 V
V
GE
= 3.0 V
V
GE
= 2.5 V
V
GE
= 4.5 V
V
GE
= 3.5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
,集电极到发射极电压(伏)
V
CE
,集电极到发射极电压(伏)
图1.输出特性
V
CE
,集电极到发射极电压(伏)
图2.输出特性
30
I
C,
集电极电流(安培)
25
20
15
T
J
= 150°C
10
T
J
= 25°C
5
0
T
J
=
40°C
V
CE
= 10 V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
50
25
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
0
25
50
75
100
125
150
I
C
= 5 A
V
GE
= 5.0 V
I
C
= 20 A
I
C
= 25 A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GE
,门到发射极电压(伏)
T
J
,结温( ° C)
图3.传输特性
图4.集电极 - 发射极饱和
电压与结温
2.5
阈值电压(伏)
意思+ 4
σ
2.0
1.5
意味着
4
σ
1.0
10000
C
国际空间站
意味着
I
C
= 1毫安
C,电容(pF )
1000
100
C
OSS
10
C
RSS
0.5
0.0
50
1
0
20
40
60
80
100 120
140 160 180 200
25
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
,集电极到发射极电压(伏)
温度(℃)
图5.电容变化
http://onsemi.com
4
图6.阈值电压随温度的变化