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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过2N5460 / D
JFET放大器
P沟道 - 耗尽
3
2漏
2N5460
THRU
2N5462
1来源
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
反向栅 - 源电压
正向栅电流
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
结温范围
存储通道温度范围
符号
VDG
VGSR
IG ( F)
PD
TJ
TSTG
价值
40
40
10
350
2.8
- 65 135
- 65 + 150
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1
2
3
CASE 29-04 ,风格7
TO-92 (TO- 226AA )
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
门 - 源极击穿电压
( IG = 10
μAdc ,
VDS = 0)的
门反向电流
( VGS = 20伏直流电, VDS = 0 )
( VGS = 30伏直流电, VDS = 0 )
( VGS = 20伏直流电, VDS = 0 , TA = 100 ° C)
( VGS = 30伏直流电, VDS = 0 , TA = 100 ° C)
门 - 源截止电压
( VDS = 15 VDC , ID = 1.0
μAdc )
栅 - 源电压
( VDS = 15 VDC , ID = 0.1 MADC )
( VDS = 15 VDC , ID = 0.2 MADC )
( VDS = 15 VDC , ID = 0.4 MADC )
V( BR ) GSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
IGSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
VGS (关闭)
0.75
1.0
1.8
0.5
0.8
1.5
5.0
1.0
6.0
7.5
9.0
4.0
4.5
6.0
NADC
μAdc
VDC
40
VDC
VGS
VDC
基本特征
零 - 门 - 电压漏极电流
( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , F = 1.0千赫)
2N5460
2N5461
2N5462
IDSS
– 1.0
– 2.0
– 4.0
– 5.0
– 9.0
– 16
MADC
小信号特性
正向转移导纳
( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , F = 1.0千赫)
2N5460
2N5461
2N5462
y
fs
1000
1500
2000
5.0
1.0
4000
5000
6000
75
7.0
2.0
m
姆欧
输出导纳( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , F = 1.0千赫)
输入电容( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , F = 1.0兆赫)
反向传输电容( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , F = 1.0兆赫)
y
os
西塞
CRSS
NF
en
m
姆欧
pF
pF
功能特点
噪声系数
( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , RG = 1.0兆欧, F = 100赫兹,BW = 1.0赫兹)
相当于短路输入噪声电压
( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , F = 100赫兹,BW = 1.0赫兹)
1.0
60
2.5
115
dB
nV
Hz
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
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