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半导体技术资料
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通过2N5460 / D
JFET放大器
P沟道 - 耗尽
3
门
2漏
2N5460
THRU
2N5462
1来源
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
反向栅 - 源电压
正向栅电流
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
结温范围
存储通道温度范围
符号
VDG
VGSR
IG ( F)
PD
TJ
TSTG
价值
40
40
10
350
2.8
- 65 135
- 65 + 150
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1
2
3
CASE 29-04 ,风格7
TO-92 (TO- 226AA )
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
门 - 源极击穿电压
( IG = 10
μAdc ,
VDS = 0)的
门反向电流
( VGS = 20伏直流电, VDS = 0 )
( VGS = 30伏直流电, VDS = 0 )
( VGS = 20伏直流电, VDS = 0 , TA = 100 ° C)
( VGS = 30伏直流电, VDS = 0 , TA = 100 ° C)
门 - 源截止电压
( VDS = 15 VDC , ID = 1.0
μAdc )
栅 - 源电压
( VDS = 15 VDC , ID = 0.1 MADC )
( VDS = 15 VDC , ID = 0.2 MADC )
( VDS = 15 VDC , ID = 0.4 MADC )
V( BR ) GSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
IGSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
VGS (关闭)
—
—
0.75
1.0
1.8
0.5
0.8
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
1.0
6.0
7.5
9.0
4.0
4.5
6.0
NADC
μAdc
VDC
40
—
—
VDC
VGS
VDC
基本特征
零 - 门 - 电压漏极电流
( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , F = 1.0千赫)
2N5460
2N5461
2N5462
IDSS
– 1.0
– 2.0
– 4.0
—
—
—
– 5.0
– 9.0
– 16
MADC
小信号特性
正向转移导纳
( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , F = 1.0千赫)
2N5460
2N5461
2N5462
y
fs
1000
1500
2000
—
—
—
—
—
—
—
5.0
1.0
4000
5000
6000
75
7.0
2.0
m
姆欧
输出导纳( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , F = 1.0千赫)
输入电容( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , F = 1.0兆赫)
反向传输电容( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , F = 1.0兆赫)
y
os
西塞
CRSS
NF
en
m
姆欧
pF
pF
功能特点
噪声系数
( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , RG = 1.0兆欧, F = 100赫兹,BW = 1.0赫兹)
相当于短路输入噪声电压
( VDS = 15 VDC , VGS = 0 , F = 100赫兹,BW = 1.0赫兹)
—
—
1.0
60
2.5
115
dB
nV
Hz
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1