多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF201 / SST32HF202 / SST32HF401 / SST32HF402
初步规格
闪光触发位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后，触发将
停止。闪速存储器区块然后准备进行下一次
操作。之后的上升沿触发位是有效的
第四WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲编程操作。为
部门或银行擦除，切换位后上涨有效
第六WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲的边缘。参见图9
翻转位时序图和图18的流程图。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
TATE
T
ABLE
FL灰
编程/擦除
编程/擦除
SRAM
读
写
该设备将忽略所有的SDP命令时擦除
或编程操作正在进行中。需要注意的是产品
识别命令使用SDP ;因此，这些的COM
指令都会还可以同时擦除或编程忽视
操作正在进行中。
Flash存储器数据保护
该SST32HF20x / 40X闪存银行提供了
硬件和软件功能来保护非易失性数据
意外写操作。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST32HF20x / 40X和制造商为SST。
这
模式可以仅由软件操作来访问。
硬件设备ID读操作，这是典型
用程序员美云，不能在此使用
因为闪存之间的共享线路的设备
的SRAM中的多芯片封装。因此，应用程序
高压重刑引脚上的
9
可能会损坏该设备。
用户可以使用该软件产品标识操作
化时，使用来识别部分（即，使用设备ID ）
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
表3和4对软件的操作，图13为
软件ID进入和读取时序图，图19
为ID输入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST32HF201/202
SST32HF401/402
0001H
0001H
2789H
2780H
T1.0 557
闪存硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃小于或BEF ＃脉
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， BEF ＃高或WE＃
高会抑制Flash写操作。这可以防止
在上电或断电的意外写操作。
闪存软件数据保护（ SDP ）
该SST32HF20x / 40X提供了JEDEC核准软
所有闪存银行洁具的数据保护方案
数据修改操作，即编程和擦除。任何
程序运行需要包含一系列的
三字节序列。这三个字节装入序列
用于启动编程操作，提供最佳
保护防止意外写操作，例如，在
在系统上电或断电。任何擦除操作
需要包含六个字节装入序列。该
SST32HF20x / 40X设备附带的软件
数据保护永久启用。请参阅表4为
具体的软件命令代码。在SDP命令
序，无效的SDP命令将中止设备
读模式，在读周期时间（T
RC
).
数据
00BFH
0000H
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。退出是
通过发出退出ID命令序列来完成，
返回该设备的读操作。请
注意，软件复位命令是在一个被忽略
内部编程或擦除操作。参见表4软
洁具命令代码，图14为时序波形和
图19为一个流程图。
并发的读写操作
该SST32HF20x / 40X提供的是独特的好处
能够读取或写入到SRAM中，同时
擦除或编程的Flash 。这允许数据替代方案
ATION代码被从SRAM中执行的，而改变
在Flash中的数据。下表列出了所有有效的状态。
设计注意事项
SST建议采用高频0.1 μF的陶瓷capac-
itor被放置在尽可能靠近V之间
DD
和
V
SS
例如，小于1厘米的距离从V
DD
的销
2001硅存储技术公司
S71209-00-000 9/01
557
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