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CY7C1298A/
GVT7164C18
真值表
[2, 3, 4, 5, 6, 7, 8]
手术
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
读周期，开始突发
读周期，开始突发
写周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
写周期，继续突发
写周期，继续突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
写周期，暂停突发
写周期，暂停突发
地址
二手
无
无
无
无
无
外
外
外
外
外
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
当前
当前
当前
当前
当前
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
H
H
X
H
X
X
H
H
X
H
CE2 CE2 ADSP
X
X
H
X
H
L
L
L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
X
L
X
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
H
H
H
X
X
H
X
H
H
X
X
H
X
ADSC
L
X
X
L
L
X
X
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
ADV
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
写
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
L
OE
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
L
H
L
H
X
X
L
H
L
H
X
X
CLK
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
Q
高-Z
D
Q
高-Z
Q
高-Z
Q
高-Z
D
D
Q
高-Z
Q
高-Z
D
D
直通真值表
前一个周期
[9]
手术
启动写周期，所有字节
地址= A（ N-1 ） ，数据= D （N - 1 ）
启动写周期，所有字节
地址= A（ N-1 ） ，数据= D （N - 1 ）
启动写周期，所有字节
地址= A（ N-1 ） ，数据= D （N - 1 ）
启动写周期，一个字节
地址= A（ N-1 ） ，数据= D （N - 1 ）
BWN
所有L个
[10, 11]
所有L个
[10, 11]
所有L个
[10, 11]
一架L
[10]
手术
启动读周期
寄存器A （N ） ，Q = D （N - 1 ）
没有新的周期
Q = D（ n-1个）
没有新的周期
Q =高阻
没有新的周期
Q = D（ n-1个）为1字节
当前周期
CE
L
H
H
H
BWN
H
H
H
H
OE
L
L
H
L
下一个周期
手术
读D（ N）
没有结转
前一个周期
没有结转
前一个周期
没有结转
前一个周期
注意事项：
2， X表示“不在乎。 ” H表示逻辑高电平。 L表示逻辑低电平。写= L手段[ BWE + WEL * WEH ] * GW等于低。写= H手段[ BWE +
WEL * WEH ] * GW等于高。
3.使WEL写DQ1 - DQ8和DQP1 。 WEH能写DQ9 - DQ16和DQP2 。
4.除OE所有的输入必须满足建立和保持CLK周围的上升沿时间（由低至高） 。
5.暂停爆裂产生等待周期。
6.对于下面的读操作的写操作中，操作环境必须为高电平的输入数据所需要的建立时间加上高阻时间为参考之前和HIGH整个停留
的输入数据保持时间。
7.此设备包含的电路，以确保输出将在高阻电期间。
8. ADSP LOW随着芯片被选中始终启动一个读周期，在CLK的LH边缘。写周期可以通过设置写低位的执行
随后的等待周期的CLK L-H边缘。请参阅写时序图进行澄清。
9.前一个周期可以是任何周期（非爆裂，爆裂，或等待） 。
10. BWE是低各个字节写入。
11万千瓦低收益率相同的结果对所有个字节写入操作。
文件编号： 38-05194修订版**
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