GT10J303
东芝绝缘栅双极晶体管
硅N沟道IGBT
GT10J303
高功率开关应用
电机控制应用
第三代IGBT的
增强型模式
高速
低饱和电压
： TF = 0.30μs （最大） （我
C
= 10A)
: V
CE
（SAT） = 2.7V （最大） （我
C
= 10A)
单位：mm
FRD包括发射极和集电极之间
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极 - 集电极前进
当前
集电极耗散功率
（ TC = 25 ° C）
结温
存储温度范围
DC
1ms
DC
1ms
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
英镑
等级
600
±20
10
20
10
20
30
150
55~150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
重量：
2-10R1C
G（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
等效电路
记号
10J303
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
1
2006-10-31
