NIF9N05CL
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0 V，I
D
= 1.0毫安，T
J
= 25°C)
(V
GS
= 0 V，I
D
= 1.0毫安，T
J
= -40 ° C至125°C ）
温度系数（负）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±8
V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
=
±14
V, V
DS
= 0 V)
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 100
毫安）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 3.5 V，I
D
= 0.6 A)
(V
GS
= 4.0 V，I
D
= 1.5 A)
(V
GS
= 10 V，I
D
= 2.6 A)
正向跨导（注3 ）（V
DS
= 15 V，I
D
= 2.6 A)
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
输入电容
输出电容
传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 10千赫
V
DS
= 35 V, V
GS
= 0 V,
F = 10千赫
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
155
60
25
170
70
30
250
100
40
pF
pF
V
GS （ TH）
1.3
R
DS （ ON）
190
165
107
g
FS
3.8
380
200
125
姆欧
1.75
4.1
2.5
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
52
50.8
I
DSS
10
25
I
GSS
±22
±10
mA
55
54
9.3
59
59.5
V
V
毫伏/°C的
mA
符号
民
典型值
最大
单位
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
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