NIF62514
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极钳位击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ，
T
J
= 150°C)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门输入电流
(V
GS
= 5.0伏，V
DS
= 0伏）
(V
GS
= -5.0伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 150
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.4 ADC ，T
J
@ 25°C)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.4 ADC ，T
J
@ 150°C)
静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 1.4 ADC ，T
J
@ 25°C)
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 1.4 ADC ，T
J
@ 150°C)
源极 - 漏极正向电压上
(I
S
= 7 A，V
GS
= 0 V)
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
摆率在
摆率关闭
10% V
in
到10％我
D
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 0 10 V ，V
DD
= 12 V
10% I
D
到90％我
D
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 0 10 V ，V
DD
= 12 V
90% V
in
到90％我
D
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 10 0 V ，V
DD
= 12 V
90% I
D
到10％我
D
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 10 0 V ，V
DD
= 12 V
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 0 10 V ，V
DD
= 12 V
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 10 0 V ，V
DD
= 12 V
t
D（上）
t
上升
t
D（关闭）
t
秋天
DV =
DS
/ DT
on
dV
DS
/ DT
关闭
4.0
11
32
27
1.5
0.6
8.0
20
50
50
2.5
1.0
ms
ms
ms
ms
ms
ms
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
105
185
1.05
120
210
V
90
165
100
190
mW
1.7
4.0
2.0
6.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
42
42
I
DSS
I
GSS
50
550
100
1000
0.5
2.0
2.0
10
MADC
46
45
50
50
VDC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
自我保护特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
电流限制
电流限制
温度限制（关断）
温度极限（电路复位）
温度限制（关断）
温度极限（电路复位）
(V
GS
= 5.0伏）
(V
GS
= 5.0伏，T
J
= 150°C)
(V
GS
= 10 VDC ）
(V
GS
= 10 VDC ，T
J
= 150°C)
V
GS
= 5.0伏
V
GS
= 5.0伏
V
GS
= 10 VDC
V
GS
= 10 VDC
I
LIM
I
LIM
T
LIM （关闭）
T
LIM （上）
T
LIM （关闭）
T
LIM （上）
6.0
3.0
7.0
4.0
150
135
150
130
9.0
5.0
10.5
7.5
175
160
155
140
11
8.0
13
10
200
185
185
170
ADC
ADC
°C
°C
°C
°C
ESD电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
静电放电能力
静电放电能力
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
ESD
ESD
4000
400
V
V
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
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