NIF62514
首选设备
自我保护FET
与温
电流限制
HDPlus设备是一种先进的系列功率MOSFET的这
利用安森美半导体的最新的MOSFET技术工艺
实现尽可能低的导通电阻每硅片面积而
结合智能功能。综合热和电流限制
携手合作，提供短路保护。这些器件具有
集成漏极至栅极钳位，使他们能够承受
高能量在雪崩模式。该线夹还提供
额外的安全裕度对突发电压瞬变。
静电放电（ ESD ）保护功能是通过一个集成提供
栅 - 源钳位。
特点
http://onsemi.com
6.0安培*
40伏电压钳位
R
DS （ ON）
= 90毫瓦
漏
过压
保护
M
PWR
电流限制
与自动重新启动热关断
短路保护
低R
DS （ ON）
I
DSS
指定高温
较高的雪崩能量
摆率控制的低噪声开关
过电压钳位保护
无铅包可用
门
输入
R
G
ESD保护
温度
极限
当前
极限
当前
SENSE
来源
4
单位
VDC
VDC
1
2
3
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压内部钳位
漏极至栅极电压内部钳位
(R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
@ T
A
= 25 ° C（注3 ）
热阻，结到标签
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，
V
DS
= 40 VDC ，我
L
= 2.8 APK ， L = 80毫亨，
R
G
= 25
W)
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
40
40
"16
SOT223
CASE 318E
方式3
标记图
VDC
1
门
AYW
62514
G
G
2
漏
3
来源
° C / W
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
62514 =具体设备守则
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
4
漏
国内
有限
1.1
1.73
8.93
14
114
72.3
300
W
R
QJT
R
qJA
R
qJA
E
AS
mJ
T
J
, T
英镑
-55
150
°C
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.安装在分片板。
2.安装在1 “垫板。
3.安装在大型散热器。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
*由电流限制电路限制。
出版订单号：
NIF62514/D
1
2006年4月 - 修订版5
